Nagyot gyorsul a Samsung UFS 4.0-s flash háttértára
Ismét nagyot emelt a lécen a Samsung új generációs, okostelefonokba szánt flashmemóriás háttértáraival - jönnek az Universal Flash Storage 4.0-nak megfelelő chipek, melyek akár duplázhatják is elődjeik teljesítményét.
A csúcskategóriás okostelefonok rendre megkapják a legújabb kijelző- és processzortechnológiát, emellett néhány gyártó kiemelt figyelmet fordít arra, hogy a készülékekbe épített flashmemóriás háttértár semmiképpen nem fogja vissza a rendszer teljesítményét. Erre szolgál a létrehozása óta az Universal Flash Storage szabvány, melynek legújabb, 4.0-s változatára elsőként a világ legnagyobb memória- és okostelefon-gyártója, a Samsung épít megoldást.
A dél-koreai multi bejelentette, hogy a harmadik negyedévben kezdi a tömeggyártását az első UFS 4.0-s memóriachipeknek, melyek a jelenlegi csúcsmodellekben (mint pl. a Galaxy S22) lévő UFS 3.1-es IC-k teljesítményének elméletileg akár a duplájára is képesek.
Ünnepi mix a bértranszparenciától a kódoló vezetőkig Négy IT karrierrel kapcsolatos, érdekes témát csomagoltunk a karácsonyfa alá.
A gyártó szerint az új memóriaszabványnak megfelelő lapkák kifejezetten a nagy adatmozgással járó 5G-s, illetve AR/VR applikációkhoz passzolnak majd.
A hetedik generációs V-NAND technológiára és a hozzá passzoló kontrollerre épülő UFS 4.0-s memóriachipek a gyártó szerint elméletileg akár 4200 MB/s és 2800 MB/s szekvenciális olvasási és írási tempóra is képesek lesznek majd - előbbi tekintetében kétszeres, utóbbi mutatóban 1,6x -es sebességtöbbletet eredményezve az UFS 3.1-es háttértárakhoz képest.
Jó hír, hogy a nagyobb teljesítmény elérésével párhuzamosan a mérnököknek sikerült jelentősen lejjebb tornászni a lapka fogyasztását is. A gyártó szerint az új lapka egy milliamperre levetítve 6 MB/s szekvenciális olvasási tempóra lesz képes, ami 46%-os javulást jelent az UFS 3.1 szabványnak megfelelő Samsung háttértárakhoz képest.
A 11x13x1 milliméteres lapkákból számos változatot készít majd a Samsung, legfeljebb 1 TB kapacitással.