Az élre ugrott friss NAND-os fejlesztésével a Samsung
Bejelentette hatodik generációs 3D NAND-ját a Samsung, amely minden szempontból előrelépést hoz a közvetlen elődhöz képest.
A dél-koreai vállalat friss fejlesztésével "100 fölé" (vélhetően pontosan 136-ra) tornázta fel a rétegek számát, amely egységnyi területre levetítve akár 40 százalékos növekedést is hozhat kapacitássűrűségben. Ezzel párhuzamosan a teljesítménymutatókon is (tovább) javított a Samsung, melynek hála úgy javult a műveletvégzések késleltetése, hogy közben a disszipáció csökkent. A gyártó már elkezdte a hatodik generációs lapkák tömegtermelését, melyek elsőként egy belépőszintű, mindössze 250 gigabájtos SATA SSD formájában kerülnek majd piacra.
A hatodik generációs 3D NAND (vagy ahogy a Samsung hívja: V-NAND) tehát több szempontból is előrelépést jelent. A rétegek számának 96-ról 136-ra emelése ugyanis önmagában 41 százalékos javulást hozhat bitsűrűségben, vagyis egységnyi lapkaterületre levetítve legalább ennyivel nőhet a tárkapacitás. A Samsung viszonylag szűkszavúan beszélt arról, hogy milyen fejlesztésekkel érte el a tetemes előrelépést, így egyelőre mindössze annyit tudni, hogy sikerült jelentősen tovább csökkenteni a cellák magasságát.
Ünnepi mix a bértranszparenciától a kódoló vezetőkig Négy IT karrierrel kapcsolatos, érdekes témát csomagoltunk a karácsonyfa alá.
A vállalat további számokat is közölt a hatodik generációs 3D NAND első példányáról. A 256 gigabites (32 gigabájt) lapkát mindössze 670 millió darab vertikális járat kialakításával elő lehet állítani, amely 28 százalékkal kevesebb az ötödik generációs fejlesztés 930 milliós értékénél. Ennek köszönhetően 20 százalékkal nagyobb kapacitást lehet kinyerni egyetlen waferből, amely hosszútávon a gyártási költségek, illetve optimális esetben a piaci árak további mérséklődését eredményezheti.
A gyártó szerint ez komoly kihívást jelent, hisz a cellák szűkülésével megnő azok érzékenysége a különféle hibákra, amely a műveletvégzési sebesség rovására mehet. A Samsungnak azonban sikerül felülkerekednie a kihívásokon. Az áramkör különféle optimalizációinak hála 10 százalékkal csökkent tovább a késleltetés, amely olvasás esetében már csak 45, írásnál pedig 450 mikroszekundum. Ez különösen annak fényében szép eredmény, hogy ezzel párhuzamosan a lapka disszipációja is csökkent legalább 15 százalékkal, amivel pedig a teljesítmény/fogyasztás mutató számottevően javult.
A Samsung a jól bevált stratégiát követve tehát most is egy kisebb, mindössze 256 gigabites lapkával igyekszik felfuttatni a gyártást, a három bitet tároló (TLC) cellákkal rendelkező chipek pedig első körben konzumer SSD-kbe kerülnek be. Eközben a Samsung már az 512 gigabites verzión dolgozik, illetve készül egy eUFS tároló is a hatodik generációs fejlesztésre alapozva, amelyek szélesebb körben 2020-ban kerülhetnek piacra.