Balról előz az SK Hynix: itt az első 128 rétegű NAND

Világelső, 1 terabites TLC NAND lapkát jelentett be az SK Hynix. A vállalat szerint megoldása más szempontból is az élen jár, azzal ugyanis elsőként sikerült egymásra építeni 128 NAND réteget. A dél-korai gyártó fejlesztési tempóját mutatja, hogy a bejelentés mindössze 8 hónappal az 96 rétegű előd után futott be. Az SK Hynix igyekszik tartani a dinamikus ütemet, amit szemléltet, hogy már javában készül a 176 réteget számláló utód.

Az új fejlesztés kapacitása tehát 1 terabit, vagyis 128 gigabájt. A lapkákból természetesen többet is egybe lehet tokozni, így egyetlen chip kapacitása akár a 2 terabájtot is elérheti majd. A dél-koreai vállalat mindehhez 360 milliárd NAND cellát helyezett egymás mellé, illetve fölé, amely rekordnak számít. A komplex lapka legyártásához olyan új technológiákra volt szükség, mint az ultra-homogén vertikális marási eljárás vagy a többrétegű vékonyfilmes cellaformázás, amelyhez a jól bevált, alacsony fogyasztású áramkörtervezést társította a gyártó.

.

Az SK Hynix NAND-os fejlesztése a CTF (Charge Trap Flash) működési elvre épül. Ennél egy speciális szigetelőanyagba (SiN, szilícium-nitrid) kerül a töltés, amely mintegy elektroncsapdaként funkcionál. Amennyiben sikerül megfelelően kivitelezni a koncepciót, annak számos pozitív hozadéka lehet. A szilícium-nitrid szigetelőfilm ugyanis alapvetően lényegesen ellenállóbb az elektronok folyamatos ki- és bejárkálásával szemben, mint a lebegőkapus (floating gate) megoldások izolált vezetőrétege. Az SK Hynix mérnökei a CTF elvén működő cellák alá helyezték a periférikus (PUC) áramköröket (pl. címdekóder, lappuffer, stb.), melynek hála további 10 százalékkal sikerült csökkenteni a lapka területét. A gyártó ezt, vagyis a CTF+PUC fejlesztését nevezi kissé megtévesztő módon 4D NAND-nak.

Machine recruiting: nem biztos, hogy szeretni fogod Az AI visszafordíthatatlanul beépült a toborzás folyamatába.

A dél-koreai vállalat kiemeli, hogy 128 rétegű 4D NAND-jával a 96 rétegű elődhöz képest 40 százalékkal nagyobb kapacitást lehet kinyerni egyetlen waferből, amely hosszútávon a gyártási költséget, illetve a piaci árak további mérséklődését eredményezheti. Ugyancsak jó hatással lehet a kiadásokra, hogy az SK Hynix szerint a 128 rétegű NAND megmunkálásának folyamata a 32-vel nőtt rétegszám ellenére 5 százalékkal rövidebb lett, mindennek hála pedig az átállás költsége 60 százalékkal csökkent a korábbi migrálásokhoz mérten. Ugyancsak említésre érdemes, hogy a TLC NAND 1,4 Gbps sávszélességet nyújthat 20 százalékkal alacsonyabb disszipáció mellett.

A közlemény arról nem beszél, hogy mikor kerülhetnek piacra az első, 128 rétegű NAND-ra épülő termékek, az azonban biztos, hogy okostelefonokba szánt UFS chipek mellett kliens és nagyvállalati SSD-kbe is bekerül a fejlesztés.