Elkészült az Intel beágyazott MRAM fejlesztése
Az Intel FinFET-alapú MRAM fejlesztés bár remek paraméterekkel rendelkezik, ezekhez továbbra is szerény kapacitássűrűség társul.
Készen áll a tömegtermelésre az Intel beágyazott MRAM fejlesztése. A chipgyártó szerint nem felejtő, magnetorezisztív memóriája remek karakterisztikákkal rendelkezik. A memória 200 Celsius-fokos hőmérséklet mellett akár 10 évig is képes lehet megőrizni adattartalmát, a programozási ciklusokból pedig több mint 106-t visel el. Ugyancsak említésre méltó, hogy az Intel kiváló kihozatali mutatóval dicsekszik, az elkészült memóriaszeletek 99,9 százaléka hozza a várt minőséget. A 22 nanométeres 22FFL eljárással gyártott beágyazott MRAM-mal a 3D XPointhoz hasonlóan a DRAM-ot és a NAND-ot egyszerre lehet kiváltani.
Bár az Intel fejlesztése remek tulajdonságokkal bír, a beágyazott MRAM szelet kapacitása rendkívül szerény, mindössze 7 megabites (875 kilobájt). A korábban bemutatott tesztlapkába nyolc ilyen egységet pakolt az Intel amely 7 megabájtos tárhelyet eredményezett. A chipgyártó egy négyzetmilliméter területen jelenleg bruttó 10,6 megabites kapacitás tud kiépíteni. Ehhez képest a lényegesen lassabb és sokkal kevésbé strapabíró 3D NAND-ból egységnyi területen már 4 gigabit, azaz az Intel MRAM-jának közel négyszázszoros kapacitása is könnyen kialakítható.
A magnetorezisztív RAM a rég elfeledett ferromágneses memóriához hasonlóan elektromos töltések helyett mágneses mezőt használ az adatbitek tárolására. Az MRAM "nem felejt", azaz kikapcsolás után is megőrzi a tartalmát, miközben írási és olvasási sebessége a cache memóriaként is használt villámgyors SRAM-okéval vetekszik, lényegesen felülmúlva mind a flash, mind a DRAM chipekét. Az MRAM-nak további előnye, hogy élettartama szinte végtelen hosszú, ellentétben például a flash chipekével (vagy akár az Intel-Micron 3D XPointtal), melyek csak korlátozott számú írás-olvasási ciklust bírnak ki.
Mentorhatás: tapasztalt szememmel vezetem a kezedet A sikeres IT karrierek többsége mögött ott áll egy erős mentor, szerepének azonban nagyon sokféle árnyalata lehet.
Összességében tehát, bár az MRAM egyes paraméterei lehetővé teszik, hogy hosszú távon méltó utódja legyen a DRAM-nak (és a flash memóriának), mint oly sok technológia esetében, a magas költségek egyelőre akadályt jelentenek a magnetorezisztív megoldásnak. Ezzel természetesen az Intel is tökéletesen tisztában van, így a beágyazott MRAM-ja leginkább speciális IoT eszközökben, illetve az olykor különleges igényeket támasztó autóiparban kap majd helyet.