Intel: a 7 nanométerrel már nem fogunk megcsúszni

Nagyon elégedett 7 nanométeres félvezetőgyártási eljárásnak fejlesztésével az Intel - mondta Dr. Venkata “Murthy” Renduchintala a Nasdaq befektetői konferenciáján. Az elnök-vezérigazgatói posztra is esélyesnek tartott szakember szerint a 7 nanométeres technológiát egy teljesen külön projekt keretein belül, dedikált csapattal fejleszti az Intel. Renduchintala továbbá (ismét) megerősítette, a fejlesztés EUV, azaz extrém ultraibolya fénnyel dolgozik majd. Bár a technológia komoly befektetéseket kíván, segítségével számottevően csökkenthető levilágítási menetek, ezzel együtt pedig a litográfiás maszkok száma, amely a cég 10 nanométeres problémáinak első számú forrása volt.

Mint utólag kiderült, a 10 nanométeres eljáráshoz párosított elvárások túl agresszívnek bizonyultak, amelyeket a fejlesztőcsapat képtelen volt megugrani az hosszú évek óta alkalmazott 193i (193 nm-es hullámhosszúságú fény) technológiával. Az Intel eredetileg 2,7-es skálázódási tényezőt határozott meg 10 nanométeréhez, vagyis ennyivel nőtt volna a tranzisztorsűrűség 14 nanométerhez képest. Ez agresszívabb, mint korábban, a 14 nanométer például csak 2,4-es tényezőt hozott, a versenytársak pedig sokkal lazábbak, 1,5-2 körüli tényezőkkel dolgoznak. Bár a vállalat ezt egyelőre nem erősítette meg, egyes források szerint végül kénytelen volt lejjebb csavarni a skálázódáson, a több éves csúszással, 2019 második felére ígért 10 nanométer a korábban megcélzottnál kisebb mértékben növeli majd a tranzisztorsűrűséget.

Renduchintala szavai alapján 7 nanométeréhez már egy fokkal óvatosabban áll vállalata, ennél egy kevésbé kockázatos, ~2-es skálázódási tényezővel kalkulál a tervezőcsapat, ami az EUV levilágítás bevezetésével kombinálva viszonylag könnyen elérhető célnak tűnik. Az extrém ultraibolya fény bevetésének nagy jelentősége van, az iparág már több mint egy évtizede szemez a költséges, de végső soron elkerülhetetlen EUV technológia bevezetésével. A 13,5 nanométeres hullámhosszú, extrém ultraibolya fény óriási előnye, hogy azzal nagyobb mélységélesség, illetve felbontás mellett lehet áramköröket megrajzolni, mely a csíkszélesség további csökkentésének előfeltétele.

Introvertáltak az IT-ban: a hard skill nem elég Már nem elég zárkózott zseninek lenni, aki egyedül old meg problémákat. Az 53. kraftie adásban az introverzióról beszélgettünk.

Renduchintala arról semmit nem árult el, hogy mikor érkezhetnek az első 7 nanométeres Intel chipek, ám tekintve, hogy a 10 nanométeres (igazi) tömegtermelés csak jövőre indul meg, 2020 végénél előbbre nem érdemes számítani. Ezt támasztja alá, hogy a technológiához egy külön üzemet, az arizonai Chandler városában található Fab 42-t készíti fel (pontosabban fejezi be) az Intel. A vállalat még tavaly év elején jelentette be, hogy potom 7 milliárd dolláros beruházással a 7 nanométeres gyártástechnológiára rendezi be régóta üresen porosodó üzemét, amelyben logikai áramkörök, vagyis processzorok készülnek majd, legkorábban 2020-2021 környékén.

Ahogy tranzisztorsűrűségben, úgy az EUV bevezetésében is lemaradt az Intel. A TSMC kvázi bárki számára elérhető 7 nanométere felülmúlja a processzorgyártó tömegtermelésben alkalmazott 14 nanométerét, miközben a Samsung már túl van a próbagyártáson első extrém ultraibolya fényt alkalmazó eljárásával. Bár gyakorlatilag biztosra vehető, hogy az Intel 7 nanométere mindkét konkurens eljárásnál kedvezőbb paraméterrel érkezik majd, a TSMC ugyancsak EUV-t alkalmazó 7 nanométeres fejlesztése már 2020 második negyedévében elrajtolhat. A Samsung ezt követően, 2020 végén vagy 2021 elején dobhatja piacra első 4 nanométeres megoldását, melyet 2022-2023 környékén követhet a nanohuzal-tranzisztorokra (Gate-All-Around) épülő 3 nanométer. Valahova ezek közé landol majd az Intel 7 nanométere, ami szoros verseny ígér a processzorgyártó és annak konkurensei között.

Az Intelhez kapcsolódó hír, hogy az Oregonlive szerint jövő márciusban leteszi a lantot a gyártástechnológiai fejlesztésekért felelős Mark Bohr. Arról csak spekulálni lehet, hogy a vállalatnál 40 éve dolgozó iparági veterán távozásában mekkora szerepet játszott a 10 nanométer hatalmas csúszása, illetve Bohr korábbi, azóta egyértelműen cáfolt nyilatkozata, mely szerint 7 nanométeren még nem terveznek EUV-t alkalmazni. A 14 nanométerrel indult vesszőfutás következményei miatt az Intel a közelmúltban átszervezte félvezetőgyártását, illetve az egyes technológiák kutatásával és fejlesztésével foglalkozó Technology and Manufacturing Group részlegét. A lépés értelmében már önálló egységként működik tovább a kutatást és a fejlesztést (Development), a gyártást és az üzemeltetést (Manufacturing and Operations), illetve az ellátási láncot (Supply Chain) működtető részleg.