Félórás áramszünet miatt esett ki a NAND termelés 3,5 százaléka

Áramszünet mért csapást az amúgy is szűkös NAND ellátásra a Samsung egyik dél-koreai, Pyeongtaekben található üzemében. A március 9-én történt váratlan, mindössze nagyjából 30 perces kimaradás a hírek szerint 50-60 000 megmunkálás alatt álló 3D NAND szilíciumostyát tett tönkre. A mennyiség a Samsung egy havi termelésének 11, a globális előállításnak pedig 3,5 százalékát teszi ki. Öröm az ürömben, hogy a hírek szerint "csak" a megmunkálás alatt álló ostyák szenvedték meg az áramszünetet, a berendezések nem károsodtak. Emiatt viszonylag gyorsan sikerült helyreállítani a termelést, ám ez még nem feltétlenül jelenti azt, hogy az üzemzavar miatt kiesett kapacitás okán nem alakul ki áremelkedés.

Kisebb-nagyobb áramkimaradások rendre előfordulnak a magas elektromos energiaigénnyel rendelkező félvezetőgyárakban. Az esetek döntő többségében a méregdrága berendezések nem károsodnak, az épp megmunkálás alatt álló szilíciumostyák azonban óhatatlanul a kukában végzik, amely amerikai dollárban kifejezve sok milliós kárt jelenthet. Ilyen eset már a TSMC Fab 8-as üzemében is előfordult, amelynek triviális oka az volt, hogy a tajvani állami áramszolgáltató vállalat (Taipower) karbantartási munkavégzés közben véletlenül elvágott egy elektromos fővezetéket. A TSMC gyárában amiatt egész hétvégén szünetelt a termelés, amiért a cég kártérítésért folyamodott.

Machine recruiting: nem biztos, hogy szeretni fogod Az AI visszafordíthatatlanul beépült a toborzás folyamatába.

Arról egyelőre nincs hír, hogy pontosan mi állt a Samsung balszerencsés esetének hátterében, mint ahogy arról sincs, hogy a vállalat kér-e kártérítést a szolgáltatótól. Puszta spekuláció, de nem zárható ki, hogy a pár hete megszellőztetett P2 Project, vagyis az új gigaüzem építési munkálatai okozhatták a galibát. Ahogy arról március elején beszámoltunk, iparági pletykák szerint újabb gyárat épít a Samsung. A dél-koreai konglomerátum a Pyeongtaek városában található, a közelmúltban átadott Line 1 félvezetőgyára mellé húzna fel egy újabb, potom 30 billió wonba (~27,8 milliárd dollár) kerülő üzemet. A beruházást állítólag az elmúlt másfél-két év trendjei, vagyis a növekvő igények inspirálták, a félvezetőgyárban ugyanis különféle memóriákat, azaz elsősorban DRAM-okat és NAND chipeket állítana elő a Samsung.

A Samsung problémáját megelőzően a konkurens Micron szenvedett el hasonló károkat. Tavaly nyár elején az amerikai gyártó Tajvanon található egyik, a globális DRAM termelés 5,5 százalékáért felelő üzemének működését kellett ideiglenesen felfüggeszteni szennyeződés miatt. Nem hivatalos információk szerint a probléma gyökerét a nitrogéngáz adagolását szabályzó rendszernél találták meg, ennek hibája miatt kerülhetett szennyeződés a tisztatérbe, amelyben a rendkívül kényes félvezetőgyártó berendezések és szilíciumostyák találhatóak. A szennyeződés miatt nagyjából havi 60 000 szilíciumostya megmunkálásának lehetőségétől esett el a Micron, ami a tajvani divízió termelőképességének közel fele, a teljes kapacitásnak pedig körülbelül 35 százaléka volt.