Csavart egyet DDR4 lapkáinak paraméterein a Samsung

Beindította a 10 nanométeres osztályba sorolt második generációs DRAM lapkák tömegtermelését a Samsung. A dél-koreai vállalat közleménye szerint friss gyártástechnológiájával sikerült az ipar legkisebb területű 8 gigabites lapkáját előállítani, amely nem utolsó sorban a korábbiaknál magasabb órajelre és/vagy kisebb disszipációra képes. A fejlesztéssel tehát hosszabb távon olcsóbban állíthat elő jobb paraméterekkel rendelkező chipeket a Samsung, árcsökkenésre azonban emiatt egyelőre nem érdemes számítani, ehhez először meg kell térülnie az 1y jelölésű gyártástechnológia fejlesztési költségeinek.

A Samsung szokás szerint nem részletezi, hogy pontosan hány nanométerrel készülnek az új lapkák, a korábbiaknak megfelelően csak "tízen" (1y nm) osztályról beszél, amely jelen esetben vélhetően egy 15 nanométer alatti értéket takar. Ennél fontosabb, hogy a vállalat közleménye szerint friss fejlesztésével az 1x technológiához képest 30 százalékkal kisebb területű lapkákat állíthat elő azonos kapacitást feltételezve. Hab a tortán, hogy nem mellékesen az energiahatékonyság is nőtt 10-15 százalékkal, hála az új áramkör tervezési metodikának. Végül, de nem utolsó sorban a maximális átviteli sebesség is nőtt, kivezetésenként 3200-ról 3600 Mbps-re, tehát a lapkák hivatalosan is képesek a 3600 MHz-es órajelre.

A dél-koreai gyártó két konkrét fejlesztést említ, amely segített a fentiek elérésben. Az egyik egy magas érzékenységű adatérzékelő-rendszer, amely képes biztosabban meghatározni a memóriacellákban található biteket, ennek hála pedig még feljebb lehetett tekerni a cellák sűrűségét anélkül, hogy a rendszer instabillá válna. Emellé sorakozik fel az egyedinek titulált air-spacer (vagy air-gap) technológia, amellyel a memóriák bitvonalainak egymástól való elszigetelését oldotta meg a Samsung. A cég konkrét számokról nem beszél, a közlemény szerint azonban a fejlesztés drasztikusan csökkentette a működés szempontjából kritikus parazita kapacitást, amely szintén segített a cellasűrűség növelésében, nem utolsó sorban pedig emiatt a cellák működési sebessége is nőtt.

Ünnepi mix a bértranszparenciától a kódoló vezetőkig Négy IT karrierrel kapcsolatos, érdekes témát csomagoltunk a karácsonyfa alá.

A Samsung jóformán minden DRAM-típusnál beveti majd az 1y gyártástechnológiát, a listán pedig még a bőven fejlesztés alatt álló (LP)DDR5 és HBM3 is rajta van a jóval hamarabb, jövő év elején érkező GDDR6-tal egyetemben. Végül a dél-koreai gyártó hozzátette, hogy legújabb fejlesztése mellett a már kiforrott 1x is megmarad, amellyel ezt követően inkább már csak mainstream lapkákat gyárt majd. Ez optimális esetben segíthet a piaci igények kielégítésében, amely az egyik feltétele az ármérséklődés megindulásának.