A Rendition visszatér: V4400e beágyazott memóriával
A V4400e chip a tervek szerint a szűkös memóriasávszéleség problémáját beágyazott DRAM-mal (embedded DRAM, azaz EDRAM) kívánja megoldani. Jelenlegi információink szerint a chipen nem kevesebb, mint 12 MByte memória lesz, ami a tranzisztorok számát hihetetlen mértékben, egészen 125 millió darabig megnöveli. Csak összehasonlításképp: az Intel Pentium III processzor nagyjából 25 millió tranzisztort tartalmaz.
Itt kezdődnek a problémák. Egyfelől a beágyazott DRAM az Infineon szabadalma, és ezt a technológiát használja a BitBoys korábban Glaze3D néven ismert chipje. Mint ismeretes, ebbe a chipbe 9 MByte EDRAM-ot álmodtak a tervezői, de a mintadarabokat még az Infineon sem tudta legyártani. Másrészről a magas tranzisztorszám komoly gyártási nehézségek elé állíthatja a Micron/Rendition párost: a nagy magméret miatt várhatóan sok lesz a selejt, melegedési problémák léphetnek fel, ezért alacsonyabb órajelet kell majd választani, ráadásul mindez borzasztóan megdrágítja az előállítást.
Egy jóbarátom szerint A Rendition és a Micron ugyanannyi ideje dolgoznak a problémán, mint a BitBoys és az Infineon, csak kisebb felhajtással, azért mégis érdekes lesz látni, mikorra lesz kézzelfogható termék a V4400e-ből.