Egy titokzatos új memórián dolgozik a Micron
Ambiciózus tervekkel vág neki az idei, illetve a következő pár évnek a Micron. A vállalat igyekszik meglovagolni a memóriák iránt mutatkozó erős keresletet, amire építve felgyorsítaná a fejlesztési tempót.
Közeli és távoli jövőre vonatkozó terveit taglalta múlt héten tartott befektetői konferenciáján a Micron. A memóriagyártó igyekszik meglovagolni a DRAM és NAND piacon kialakult hiányt, előbbinél a csíkszélesség mihamarabbi csökkentésével javítana helyzetén, utóbbinál pedig a rétegeket növelné nagy léptekkel, az év második felében ezek számát már 96-ra emelné a cég. Az evolúciós fejlesztések mellett egy vadiúj, nem volatilis(?) memórián is dolgozik a Micron, amelynél DRAM-hoz közeli sebességet ígér.
A NAND-os fejlesztéseket továbbra is az Intellel közösen végzi a cég, az IMFT (Intel-Micron Flash Technologies) volt a Samsung utána a második gyártó, aki (pár év késéssel) tömegtermelésbe hozta a 3D NAND-okat. A 32 rétegű lapkák tavaly bukkantak fel SSD-kben, miközben a vegyesvállalat már javában dolgozott a nagyjából 80 százalékos bitsűrűség-növekedést ígérő második generációs, 64 rétegű variánson. A fejlesztésből mostanra működőképes példányok is léteznek, a tömeggyártás beindítására pedig az év végét ígéri a Micron, amitől egységnyi kapacitásra levetítve körülbelül 30 százalékos költségcsökkenést vár.
A Micron egyelőre két eltérő lapkáról beszél, amelyek egyaránt hárombites (TLC) cellákkal rendelkeznek. A nagyobbik, 512 gigabites (64 GB) kapacitásút elsősorban különféle SSD-kbe szánja a gyártó, az épp fele ekkora, 256 gigabites lapkával pedig az okostelefonok piacát venné célba. A cég szerint ez a jelenleg ismert legkisebb területű 256 gigabites lapka, a mindössze 59 négyzetmilliméteres szilícium így jól illeszkedhet a kompakt készülékekbe. A Micron ezzel próbál nagyobb szeletet kihasítani az okostelefonos piacból, amelyben jelenleg meglehetősen kis részesedéssel rendelkezik, köszönhetően a korábbi, nagyobb lapkákra fókuszáló stratégiájának.
Ünnepi mix a bértranszparenciától a kódoló vezetőkig Négy IT karrierrel kapcsolatos, érdekes témát csomagoltunk a karácsonyfa alá.
Konferenciáján az ezeket követő, harmadik generációs fejlesztésről is beszélt a cég. A várhatóan 96 rétegű 3D NAND további 40 százalékkal növelheti az egységnyi területre levetített kapacitást, ami körülbelül 10-15 százalékkal csökkentheti a gyártási költségeket. Végül, de nem utolsó sorban a QLC-t, azaz a négybites cellákkal szerelt NAND-ot is megemlítette a Micron, amelynek fejlesztése továbbra is folyamatban van.
Első körben ez csak a kifejezetten alacsony írási terheléssel rendelkező munkafolyamatokhoz lehet megfelelő, ugyanis a cellák a TLC-nél is lényegesen kevesebb programozási ciklust viselnek el, így ennek fényében kell kialakítani a vezérlőszoftvert (firmware) és a (vállalati) szoftveres környezetet. A Micron még körülbelüli időpontot sem mondott a QLC bevezetésére, kíváncsian várjuk, hogy melyik gyártó áll majd elő elsőként ilyen NAND-okkal, a fejlesztési versenyben például a Toshiba is részt vesz.
20 nanométer alatti DRAM és GDDR6
A volatilis memóriák fejlesztését is megnyomja a Micron, a tavalyi 20 nanométeres lapkák után idén befuthatnak a 16 (1X) nanométeres variánsok is, amitől egységnyi kapacitásra levetítve 20 százalékos költségcsökkenést vár a gyártó. Ezen a csíkszélességen GDDR5 és (LP)DDR4 chipek egyaránt készülnek majd, az év második felében pedig elkezdődhet az 1Y (14 nanométer?) jelölésű technológia bevezetése, amely körülbelül egy évvel a 16 nanométer után éri el a tömegtermelés fázisát. Ezt egy harmadik lépcső követi, az 1Z jelölésű fejlesztésről viszont egyelőre semmi sem árult el a Micron.
A DRAM-okhoz kapcsolódóan a GDDR-es fejlesztéseket is megemlítette a gyártó, ahol ugyancsak eseménydús időszak várható. A GDDR5X termelésén teker egyet a cég, amiből arra lehet számítani, hogy idén több kártyán is feltűnnek a chipek, amelyek egyelőre csak az Nvidia termékein (pl. GTX 1080, Titan X) kaptak szerepet. Arról egyelőre nincs hír, hogy csak az Nvidia bővíti-e tovább a GDDR5X-es kört, vagy esetleg az AMD is beveti a chipeket, esély mindkettőre van. Ettől függetlenül a cég már az utód, GDDR6 fejlesztésén is dolgozik, amely jövőre jelenhet meg a piacon, igaz azt előbb még a JEDEC-nek is szabványosítania kell.
3D XPoint termékek helyett egy titokzatos memória
Az Intelhez hasonlóan a Micron is balladai homályba burkolja a 3D Xpoint technológiára épülő, QuantX márkanevű termékeinek bejelentését. A cég csupán annyit árult el, hogy az első modellek az idei év végéig megjelennek, miközben már javában folyik a második és harmadik generáció fejlesztése, ami mind teljesítmény, mind pedig kapacitás szempontjából jelentős előrelépést hoz.
A titkolózást tovább fokozván, egy teljesen új fejlesztést is bedobott a Micron. Ez a cég által mutatott dia alapján DRAM-hoz hasonló tempót kínál valamivel alacsonyabb költség, illetve várhatóan nem volatilis működés mellett, így azzal a 3D Xpointhoz hasonlóan össze lehetne vonni a háttértárat és az operatív tárat. További információt nem osztott meg a Micron, annyi viszont kiderült, hogy a 3D Xpointtal ellentétben ezt a cég egymaga fejleszti, az Intel kimaradt a projektből.
Optimista kilátások
A DRAM és NAND chipek iránti megugrott kereslet okán a Micron derűlátóan tekint a jövőbe. A cég 30-40 százalékkal nagyobb leszállított kapacitás vár DRAM-ból, illetve 45-55 százalékkal nagyobbat NAND-ból a 2018-as pénzügyi évre. Eközben az egységnyi kapacitásra elosztott előállítási költség a DRAM esetében 15-25, a NAND esetében pedig 20-30 százalékot csökkenhet majd. A Micron optimista prognózisa szerint a memóriapiac növekedése kettő és félszer nagyobb lesz a félvezetőipar többi részének átlagánál. A cég a növekvő igényeket egyedi megoldásokkal is szeretné meglovagolni, ahol elsősorban a tokozásban nyújtana egyedülállót a, például az alkalmazásprocesszor, a DRAM, illetve a NAND egyetlen chipbe ültetésével.