Nem lassít a Samsung, újabb NAND-alapú fejlesztések jönnek
Számos NAND-alapú termékről és fejlesztésről beszélt a Samsung. A vállalat igyekszik megtartani előnyét, amihez többek között újabb 3D NAND-chipet, még nagyobb kapacitású BGA-s SSD-t, és több vállalati meghajtót is készített.
Legújabb fejlesztéseiről beszélt tegnap a kaliforniai San Joséban zajló Flash Memory Summit 2016 rendezvényen a Samsung. A dél-koreai vállalat számos megoldást leplezett le, a 64 rétegű 3D NAND mellett a Z-NAND-ról és a Z-SSD-ről is terítéken volt, utóbbi kettőt a 3D XPoint-alapú megoldások ellen küldi majd harcba a Samsung.
A 64 rétegű 3D NAND-ra számítani lehetett, meglepetést egyedül az jelent, hogy a cég csak a közelmúltban kezdte el szállítani a 48 rétegű verziókat, a 4 terabájtos Samsung 850 EVO-ba például már ilyen komponensek kerültek. Bár a rétegek száma "csak" harmadával nőtt, a kapacitást duplázta a Samsung, míg a 48 rétegű TLC lapka 256, addig a most bemutatott verzió már 512 gigabites.
Ebből egy tokozásba legfeljebb 16 darabot pakolhat a cég, így a chipenkénti kapacitás már elérheti az 1 terabájtot. A növekvő méret ugyanakkor egy érdekes problémát generál, mivel így azonos kapacitást kevesebb lapkával/chippel is el lehet érni, ezért egyre nehézkesebb feltölteni a SSD-k vezérlőinek jellemzően 8 darab csatornáját, ami a meghajtó sebességre lenne negatív hatással. A Samsung ennek úgy próbálta elejét venni, hogy a lapkák maximális átviteli sebességét 800 Mbps-re emelte.
A cég az újabb lapkák mellett már egy azokra épülő, BGA formátumú SSD-t is bejelentett. Az egyetlen chipbe zsúfolt, alig 150 mm2 területű meghajtó épp 1 terabájt kapacitású. Az SSD-ben valószínűleg a PM971-nél megismert Photon kódnevű vezérlő dolgozik, a puffer szerepét pedig egy LPDDR4 lapka tölti be. A meghajtó PCI Express (3.0) buszt alkalmaz, így a szekvenciális olvasási sebesség elérheti az 1500 MB/s-ot, miközben az írás 900 MB/s-nál tetőzhet.
Az egészen apró SSD mellett kifejezetten nagy, kiszolgálókba szánt megoldásokon is dolgozik a Samsung. A cég elmondta, hogy a SAS csatolós PM1643 széria legnagyobb tagjának kapacitását megduplázza, azaz érkezik a 32 terabájtos modell. E mellett egy új, PCIe felületű NVMe meghajtón is dolgozik a cég. A PM1735 már inkább tempóra gyúr, a PCI Express bővítőkártya formátumú meghajtó 8 darab Gen4 sávot fog használni, amivel az átviteli sebesség elérheti a 12 GB/s-ot. A cég továbbá egy új méretszabványt is lefektetett, mely az M.2 kibővítésének tekinthető. A 114 milliméter hosszú és 32 milliméter széles áramkörre már akár 8 terabájtos meghajtókat is lehet tervezni, miközben ezekből akár 32 darab is beférhet egy 1U magasságú szerverbe, ami 256 terabájt kapacitást jelentene.
Ünnepi mix a bértranszparenciától a kódoló vezetőkig Négy IT karrierrel kapcsolatos, érdekes témát csomagoltunk a karácsonyfa alá.
Végül, de nem utolsó sorban egy eddig ismeretlen fejlesztésről, a Z-NAND-ról, illetve az arra épülő Z-SSD-ről is beszélt a Samsung. Sajnos egyelőre túl sok részletet nem osztott meg erről a gyártó, de az már nyilvánvaló, hogy ezzel az Intel és a Micron közös szerelemgyerekének, a 3D XPointnak próbál majd konkurenciát állítani. A meghajtók a memória (DRAM) és a háttértár (SSD) közötti területet célozzák, akárcsak az Optane és a QuantX.
Az elnevezés alapján ugyanakkor a 3D XPoint esetében alkalmazott PRAM-szerű, innovatív megoldásnak itt nyoma sincs, a Samsung jobb híján valamiféle speciális(?) NAND-dal próbálja majd eltéríteni az Intel-Micron termékei fele ácsingózó a vásárlókat. A Z-NAND működéséről egyelőre csak találgatni lehet, egyesek SLC-s megoldásra tippelnek, de a DRAM-NAND valamiféle házasítása sem zárható ki.
A Samsung azt állítja, hogy a Z-SSD-k négyszer kisebb késleltetéssel, és 1,6-szor magasabb szekvenciális olvasással bírnak majd mint TLC 3D NAND-okra épülő PM963 SSD. A Z-SSD-k jövőre érkeznek 1, 2, illetve 4 terabájtos kapacitással.