Nem lassít a Samsung, újabb NAND-alapú fejlesztések jönnek
Számos NAND-alapú termékről és fejlesztésről beszélt a Samsung. A vállalat igyekszik megtartani előnyét, amihez többek között újabb 3D NAND-chipet, még nagyobb kapacitású BGA-s SSD-t, és több vállalati meghajtót is készített.
Legújabb fejlesztéseiről beszélt tegnap a kaliforniai San Joséban zajló Flash Memory Summit 2016 rendezvényen a Samsung. A dél-koreai vállalat számos megoldást leplezett le, a 64 rétegű 3D NAND mellett a Z-NAND-ról és a Z-SSD-ről is terítéken volt, utóbbi kettőt a 3D XPoint-alapú megoldások ellen küldi majd harcba a Samsung.
A 64 rétegű 3D NAND-ra számítani lehetett, meglepetést egyedül az jelent, hogy a cég csak a közelmúltban kezdte el szállítani a 48 rétegű verziókat, a 4 terabájtos Samsung 850 EVO-ba például már ilyen komponensek kerültek. Bár a rétegek száma "csak" harmadával nőtt, a kapacitást duplázta a Samsung, míg a 48 rétegű TLC lapka 256, addig a most bemutatott verzió már 512 gigabites.
Ebből egy tokozásba legfeljebb 16 darabot pakolhat a cég, így a chipenkénti kapacitás már elérheti az 1 terabájtot. A növekvő méret ugyanakkor egy érdekes problémát generál, mivel így azonos kapacitást kevesebb lapkával/chippel is el lehet érni, ezért egyre nehézkesebb feltölteni a SSD-k vezérlőinek jellemzően 8 darab csatornáját, ami a meghajtó sebességre lenne negatív hatással. A Samsung ennek úgy próbálta elejét venni, hogy a lapkák maximális átviteli sebességét 800 Mbps-re emelte.
A cég az újabb lapkák mellett már egy azokra épülő, BGA formátumú SSD-t is bejelentett. Az egyetlen chipbe zsúfolt, alig 150 mm2 területű meghajtó épp 1 terabájt kapacitású. Az SSD-ben valószínűleg a PM971-nél megismert Photon kódnevű vezérlő dolgozik, a puffer szerepét pedig egy LPDDR4 lapka tölti be. A meghajtó PCI Express (3.0) buszt alkalmaz, így a szekvenciális olvasási sebesség elérheti az 1500 MB/s-ot, miközben az írás 900 MB/s-nál tetőzhet.
Az egészen apró SSD mellett kifejezetten nagy, kiszolgálókba szánt megoldásokon is dolgozik a Samsung. A cég elmondta, hogy a SAS csatolós PM1643 széria legnagyobb tagjának kapacitását megduplázza, azaz érkezik a 32 terabájtos modell. E mellett egy új, PCIe felületű NVMe meghajtón is dolgozik a cég. A PM1735 már inkább tempóra gyúr, a PCI Express bővítőkártya formátumú meghajtó 8 darab Gen4 sávot fog használni, amivel az átviteli sebesség elérheti a 12 GB/s-ot. A cég továbbá egy új méretszabványt is lefektetett, mely az M.2 kibővítésének tekinthető. A 114 milliméter hosszú és 32 milliméter széles áramkörre már akár 8 terabájtos meghajtókat is lehet tervezni, miközben ezekből akár 32 darab is beférhet egy 1U magasságú szerverbe, ami 256 terabájt kapacitást jelentene.
Hello, itt az idei SYSADMINDAY! Szabadtéri helyszínen idén is megrendezzük a hazai Sysadmindayt. Melós hónapok után ez egy jó lehetőség, hogy találkozzunk barátokkal, kollégákkal.
Végül, de nem utolsó sorban egy eddig ismeretlen fejlesztésről, a Z-NAND-ról, illetve az arra épülő Z-SSD-ről is beszélt a Samsung. Sajnos egyelőre túl sok részletet nem osztott meg erről a gyártó, de az már nyilvánvaló, hogy ezzel az Intel és a Micron közös szerelemgyerekének, a 3D XPointnak próbál majd konkurenciát állítani. A meghajtók a memória (DRAM) és a háttértár (SSD) közötti területet célozzák, akárcsak az Optane és a QuantX.
Az elnevezés alapján ugyanakkor a 3D XPoint esetében alkalmazott PRAM-szerű, innovatív megoldásnak itt nyoma sincs, a Samsung jobb híján valamiféle speciális(?) NAND-dal próbálja majd eltéríteni az Intel-Micron termékei fele ácsingózó a vásárlókat. A Z-NAND működéséről egyelőre csak találgatni lehet, egyesek SLC-s megoldásra tippelnek, de a DRAM-NAND valamiféle házasítása sem zárható ki.
A Samsung azt állítja, hogy a Z-SSD-k négyszer kisebb késleltetéssel, és 1,6-szor magasabb szekvenciális olvasással bírnak majd mint TLC 3D NAND-okra épülő PM963 SSD. A Z-SSD-k jövőre érkeznek 1, 2, illetve 4 terabájtos kapacitással.