HP-SanDisk szövetség a memrisztorért
Kooperációra lépett a HP és a SanDisk, a két cég a jövőben közösen fejleszt új félvezető-alapú tárolási technológiát, a HP-féle memrisztorra alapozva. Az összefogás kimondatlan célja versenyképes alternatívát kínálni az Intel-Micron blokk által kifejlesztett 3D Xpointtal szemben.
Bombaként robbant július végén az Intel és a Micron bejelentése, miszerint olyan félvezető-alapú tárolótechnológiát sikerült kifejleszteni, amely ötvözni tudja a DRAM és a NAND előnyeit, előbbinél mintegy tízszer sűrűbb, utóbbinál ezerszer gyorsabb és tartósabb tud lenni. A 3D Xpoint ezzel alaposan felboríthatja a jelenleg használt számítógépes architektúrákat, egyszerre válthatja ki ugyanis az operatív tárat és a háttértárat, ráadásul emellett olcsó is maradhat.
A technológiához értelemszerűen csak az azt fejlesztő Intel-Micron páros tagjai férhetnek hozzá, ami komoly aggodalommal tölthette el a versenytársakat, mint a NAND-király SanDisket és a Samsungot, az Xpoint ugyanis néhány éven belül teljesen kiválthatja a flash-t az SSD-kben. Ebben a kontextusban szinte magától értődő, hogy a SanDisk összefogott a HP-val, utóbbi cég évek óta igyekszik piacra vinni memrisztor-alapú tárolótechnológiáját, egyelőre kevés sikerrel.
A memrisztor első képe - még 2008-ból.
Ünnepi mix a bértranszparenciától a kódoló vezetőkig Négy IT karrierrel kapcsolatos, érdekes témát csomagoltunk a karácsonyfa alá.
A SanDisk-HP együttműködés bejelentése ugyanakkor semmilyen konkrétumot nem tartalmaz arra vonatkozóan, hogy pontosan min fog a két cég közösen dolgozni. Egyelőre csupán annyi világos, hogy "storage class memory" (SCM) létrehozása a cél, ez pedig a HP-féle memrisztor és a SanDisk által támogatott ReRAM technológia köré épül, és kombinálja a két cég kutatás-fejlesztési, illetve gyártástechnológia terén szerzett tapasztalatait. A megcélzott teljesítményadatokat mintha az Xpoint-közleményből másolta volna a páros: "a technológia a várakozások szerint mintegy ezerszer gyorsabb és ezerszer tartósabb lesz a flash tárolóknál". Emellett "jelentős előrelépést kínál költség, energiahatékonyság, sűrűség és időtállóság területén is a DRAM-hoz viszonyítva" - mondja a közlemény.
Ideje lenne
A HP még 2008-ban jelentette be a memrisztor felfedezését, amely akkor hatalmas kutatási áttörésnek számított. A memrisztor ugyanis a negyedik áramköri alapelem a kondenzáror, az ellenállás és a tekercs (induktor) mellett, első elméleti leírása 1971-ből származik, a HP-nek ezt sikerült gyakorlatban is megvalósítani. A memrisztor a rajta átfolyó töltés mennyiségétől és irányától függően változtatja ellenállását, és ezt azután is megőrzi, miután az áramot lekapcsoljuk. Innen egyébként a neve is: emlékező ellenállás, memory resistor, memrisztor.
A 2008-as felfedezés óta azonban a HP nem tudott memrisztor-alapú terméket piacra dobni, annak ellenére, hogy a cég egy-két éves gyakorisággal előrelépésről és apróbb áttörésekről számol be. A HP oldaláról ez indokolhatja az összefogást a SanDiskkel - utóbbi cégnek komoly tapasztalata van a félvezetőgyártásban és hozzáférése a legfrissebb kutatási eredményekhez, ami szükséges lehet a technológia kereskedelmi bevezetéséhez. Érdekes, hogy 2010-ben még a HP a Hynixszel fogott össze ugyanilyen okból, ez a kooperáció azonban eddig nem vezetett eredményre.
Memrisztor-alapú memóriával (ReRAM) nem csak a HP és a Hynix próbálkozott, az Elpida még 2012-ben jelentette be saját ReRAM prototípusát, amelynek 2013-ban kellett volna sorozatgyártásba kerülnie. Mondanunk sem kell, ez is "vaporware", ígéret szintjén maradó bejelentés lett, a fejlesztés eddig nem került kereskedelmi forgalomba. Érdemes tehát egyelőre a HP-SanDisk bejelentést is erős fenntartással kezelni, annak fényében, hogy eddig hány cégnek tört bele a bicskája ebbe a technológiába.