Megelőzte a TSMC a Samsungot a FinFET-fejlesztésekben
Iparági bennfentesek szerint a közelmúltban rendezett ARM TechCon konferencián 14 nm-es chipet demózó Samsung gyártási eljárása messze van még a tökéletestől, a TSMC előrébb jár a fejlesztésekben.
Nemrég számoltunk be arról, hogy a Samsung egy amerikai konferencián először mutatott be működés közben 14 nm-es csíkszélességű, FinFET technológiával gyártott processzort. A cég képviselői azonban semmit nem árultak el a technológia fejlettségéről - az EE Times által a napokban közölt cikk szerint jó okkal. A félvezetőiparra szakosodott lap bennfentes információi szerint ugyanis a Samsung jelentősen le van maradva még a TSMC-vel szemben is a FinFET fejlesztések terén, és mindkét cég hátrányban van az Intelhez képest, amely már évek óta alkalmazza ezt a technológiát tömegtermelésben.
Amint arról már többször írtunk, a FinFET tranzisztor alkotóelemei nem rétegszerűen helyezkednek el mint ahogy az korábban bevett volt, hanem háromdimenziós struktúrát alkotnak - a legyártott tranzisztorban a csatornát szilíciumból készült vékony "uszony" veszi körül, innen származik az elnevezés. Ez a megközelítés jobb szivárgási jellemzőkkel bíró tranzisztort ígér, azonban a tömeggyártásához át kell alakítani azokat a folyamatokat, amelyekkel a "hagyományos" sík (planáris) tranzisztorok készülnek.
"A legújabb fejlemények azt mutatják, a TSMC már vezet a Samsung előtt a FinFET fejlesztésekben" - írta egy október eleji jelentésében Mehdi Hosselini, a Susquehanna félvezetőiparra szakosodott elemzője. Az EE Times által megkérdezett iparági szakértők úgy vélik, a Samsung hiába állítja, hogy hamarosan tömeggyártásba kerül a FinFET technológiája, a kihozatal terén egyelőre nagyon komoly problémákkal küzd a vállalat, vagyis a legyártott chipek jó része selejtes. Könnyen lehet, hogy a Samsung ugyanúgy a kettős levilágítással ("double patterning") és a szivárgás kezelésével küzd a 14 nm-es FinFET eljárásán, amely a 28 nm-es technológiáján is gondot okozott. Hosselini szerint 2015 vége körül mehet tömeggyártásba a Samsung 14 nm-es FinFET eljárása.
A Gitlab mint DevSecOps platform (x) Gyere el Radovan Baćović (Gitlab, Data Engineer) előadására a november 7-i DevOps Natives meetupon.
A TSMC sem áll ugyanakkor annyival jobban, a vállalat gyáraiban most kezdődik meg a FinFET tranzisztorok gyártásához szükséges berendezések nagy mennyiségű telepítése, ami azt jelenti, 2015 tavasza előtt nem várható a tajvani cég üzemeiből jelentős mennyiségű FinFET-technológiás alkatrész. A vállalat ugyanakkor a tokozás fejlesztése terén jelentős előnyt élvez a Samsunggal szemben, ez legalább biztosan nem fogja hátráltatni a kereskedelmi bevezetést. Ezzel együtt sem várja Carlos Peng, a Fubon Securities elemzője, hogy a TSMC árbevételéből 10 százaléknál többet adjanak a FinFET chipek 2015 végén.
A vállalat két legnagyobb megrendelője a Qualcomm és az Apple, a két cég összesen közel harmadát adja a TSMC árbevételének. Mindkettő számára fontos, hogy okostelefonos és tabletes processzoraikat a legmodernebb eljáráson gyártathassák, de könnyen elképzelhető, hogy az Apple nem kockáztat meg jövőre egy technológiaváltást és a következő generációs chipjét még 20 nm-es eljáráson gyártatja. A vállalat számára ugyanis komoly kockázatot jelent, ha a gyártástechnológia problémái miatt nem áll időben a rendelkezésére elég processzor egy új iPhone-hoz vagy iPadhez 2015 őszén.