A világ leggyorsabb SSD-jét demózta a HGST
Nem flash memóriachipekre, hanem phase-change RAM lapkákra épül a HGST által demózott meghajtó, amelyről a cég szerényen csak annyit állít, a világ leggyorsabb SSD-je.
A "világ leggyorsabb SSD-jét" demózta a héten a kaliforniai San Joséban zajló Flash Memory Summit 2014 rendezvényen a Hitachi Global Storage Technology, amely egy ideje már a Western Digital tulajdonában van.
Flash helyett phase-change RAM
Az egyelőre csak demó stádiumú, kereskedelmi forgalomban még nem hozzáférhető eszköz PCI Express 3.0 felületen csatlakozik, és a gyártó állítása szerint másodpercenként 3 millió (512 bájtos blokkméret) I/O műveletre képes - ilyen kategóriás teljesítményhez jelenleg több, rackbe szerelhető flashmemóriás külső tárolót kell igénybe venni. Ennél sokkal nagyobb durranás, hogy a meghajtó véletlen elérése 1,5 millisecundum, a késleltetése pedig 1 microsendundum mindössze. A HGST saját fejlesztésű, kimondottan késleltetésre optimalizált protokollt alkalmazot, ennél azonban sokkal érdekesebb, hogy a cég nem flash memóriachipeket használt, hanem 45 nanométeres eljárással gyártott, 1 gigabites PRAM (phase change RAM) lapkákat.
A jelenleg elterjedt memóriatechnológiákkal ellentétben a PRAM nem tranzisztorokat vagy kondenzátorokat használ a bitek tárolására, hanem diódákat és az alkalmazott anyag állapotváltozására épít, pontosabban a két állapot különböző vezetési tulajdonságai jelentik a 0 (kvázi szigetelés) és 1 (jó vezetés) biteket. A PRAM-okban használt anyagok ugyanis másmilyen kristályszerkezetbe rendeződnek, ha az olvadáspontjuk feletti vagy az alatti, kristályosodó állapotból hűlnek vissza, ez pedig eltérő elektromos vezetési tulajdonságot eredményez.
A kristályos, olvadás alatti állapotból történő kihűlés vezetéshez vezet, a felforralás amorf molekuláris struktúrához vezet, ami szigetel. Az állapot fenntartásához a PRAM esetében sincs szükség áramellátásra, így alacsony fogyasztás mellett tartalmát a kikapcsolást követően is megtartja, ahogyan egy merevlemez, vagy egy memóriakártya. A flash memóriachipekhez képest a PRAM fontos előnye a strapabíróság, az állapotváltozás akár tízmilliószor is végbemehet anélkül, hogy az anyag "elfáradna" és a chip újraírhatatlanná válna. Ezen felül a PRAM a memóriakártyákban és SSD-kben elterjedt NAND flashnél egy nagyságrenddel nagyobb írási és kiolvasási sebességet is ígér - nem véletlen a HGST által demonstrált eszköz tempója.
Übermemória?
A több tíz éve kutatott-fejlesztett PRAM azért foglalkoztatja az ipart, mert gyártástechnológiai oldalról viszonylag olcsón bevezethető, hosszabb távon is miniatürizálhatónak ígérkezik, miközben jellemzői esélyessé teszik arra, hogy univerzális memóriaként kiváltsa a háttértárat és RAM-ot is, lehetővé téve akár az egységes memóriaarchitektúrájú rendszereket is, melyekben a szoftverek és adatok villámgyorsan hozzáférhetőek az adattárolóról a processzor számára, nem szükséges először az operatív DRAM-ba tölteni a lassú háttértárról.
Ünnepi mix a bértranszparenciától a kódoló vezetőkig Négy IT karrierrel kapcsolatos, érdekes témát csomagoltunk a karácsonyfa alá.
A PRAM-ra Szent Grálként tekintet az ipar, mivel egyesíti a flash és a DRAM jellemzőit, vagyis egy olyan nem felejtő memória, melyet random is el lehet érni, méghozzá nagy sebességgel. A nagy áttörés eddig nem valósult meg, eddig nem láttak napvilágot PRAM-ra épülő új számítógép-architektúrák, ahol a háttértár és operatív memória szerepét egyetlen chip tölti be, de a HGST szerint a PRAM már alkalmas arra, hogy nagy teljesítményű háttértárak épüljenek rá, ez lehet talán az első lépés a szélesebb körű elfogadottság és elterjedés felé.
FlashMAX III
A Flash Memory Summit 2014-re nem csak techdemót, hanem terméket is hozott a HGST, mégpedig a FlashMAX III márkajelű vállalati SSD-ket, amelyek flash memóriára épülő, PCI Express felületű meghajtók nagy teljesítményigényű vállalati alkalmazások alá. A FlashMAX III család tagjai 1,1 terabájtos, 1,65 terabájtos és 2,2 terabájtos kivitelben kaphatók, maximális olvasási sebességük 2,7 GB/s, írási sebességük pedig 1,4 GB/s. Egy másodperc alatt 541 ezer random olvasási művelet (4K) vagy 77 ezer írási művelet jelenti a csúcsot, 70:30 arányú vegyes terhelés alatt pedig 200 ezer IOPS szerepel az adatlapjukon. A meghajtókra 5 év garanciát vállal a gyártó.