Új technológiával készül az IBM a CMOS utáni korszakra
Egy ideje már terítéken van a szilíciumalapú CMOS felvezetők leváltása, mivel szakemberek szerint a jelenleg használt félvezetőgyártási technológiák a fizika határait feszegetik és hamarosan olyan falakba ütközik a csíkszélesség további csökkentése, amely nem leküzdhető az eddigi módszerekkel.
Ugyan Moore törvénye köszöni és jól van már 1965 óta, a nagyobb félvezetőgyártók folyamatosan kísérleteznek olyan technológiákkal, amelyek a CMOS korszak után is biztosíthatják a nagyobb teljesítményű áramkörök megépítését. Intenzív kutatásokat folytat a témában a világ legnagyobb szabadalomgyártója, az IBM is, amelynek laborjában ismét született egy újszerű megoldás.
A cég kutatói azt találták, hogy a fémoxidokat visszafordítható módon lehet szigetelővé vagy vezetővé tenni ionizált folyadék segítségével. Ráadásul amint az alapesetben szigetelő oxidok az oxigénionoktól vezetővé válnak, stabilan megtartják fémes állapotukat még azután is, hogy az eszköz táplálását megszakítják - magyarán fogalmazva nem felejtenek, így kikapcsolás után is alkalmasak információk megőrzésére, mint a mai flash memóriák például.
"Az a képesség, hogy az anyagot atomi szinten megértsük és kontrolláljuk, lehetővé teszi új anyagok és eszközök létrehozását, amelyek teljesen más elveken működnek mint a mai szilíciumalapú információs technológia" - mondta a Science magazinban publikált tudományos áttörésről Dr. Stuart Parkin, az IBM Research kutatómérnöke. "A mai töltésalapú eszközök helyett az anyag tulajdonságait visszafordíthatóan módosító ionáramláson alapuló készülékek használata teljesen új típusú mobil berendezések létrehozását eredményezheti. Ezen eszközök és koncepciók használata háromdimenziós architektúrákban megakadályozhatja az informatikai ipart, hogy technológiai falba ütközzön."
Hello, itt az idei SYSADMINDAY! Szabadtéri helyszínen idén is megrendezzük a hazai Sysadmindayt. Melós hónapok után ez egy jó lehetőség, hogy találkozzunk barátokkal, kollégákkal.
Az eljárás során pozitív töltésű folyékony elektrolitot helyeztek egy szigetelő vanádium-dioxid fémrétegre, amelyet sikeresen alakítottak fémállapotúra. Az anyag megtartotta állapotát egészen addig, amíg a folyékony elektrolit negatív töltésűvé nem változott, ekkor visszaalakult eredeti, szigetelő állapotába. Az IBM közleménye megjegyzi, ilyen típusú, vezetőből szigetelővé váló anyagokkal már évek óta zajlanak kísérletek a világon, most azonban bizonyítást nyert, hogy az oxigén felelős a fémoxid állapotváltozásáért - a korábbi kísérletek során ezt a hőmérséklet szélsőséges megváltoztatásával vagy extrém stresszel idézték elő, ami a hétköznapi használhatóságot erősen korlátozza.
Parkin ugyan beismeri, ezek az anyagok nem képesek olyan gyorsan változtatni az állapotukat mint ahogy a szilíciumalapú félvezetőkben kapcsolnak ma a tranzisztorok, azonban nem is biztos hogy erre szükség van, tekintve a rugalmas felhasználhatóságukat. Az elgondolás szerint akár folyamatosan változó áramkörök is építhetők lennének a technológia segítségével. "A folyadékot bizonyos területekre vagy fémoxidok 3D struktúráira irányíthatjuk és megváltoztathatjuk azok állapotát. Egész virtuális áramkörök építhetők így, és ahogy a feladatukat befejezték, gyorsan le is bonthatók" - mondja Parkin.