A világ legkisebb memóriacelláját demonstrálta az IBM
A világ legkisebb működő SRAM celláját sikerült laboratóriumi körülmények között megalkotnia az IBM-vezette félvezetőipari kutatási csapatnak. A 22 nanométeres csíkszélességű félvezető-eljárással készített SRAM lapka egyfajta erődemonstráció az érintettek részéről a miniatürizációs versenyben, a technológia kereskedelmi bevetése 4-5 év múlva várható.
Az IBM, az AMD, a Freescale, az STMicroelectronics, a Toshiba, valamint a College of Nanoscale Science and Engineering közösen jelentették be, hogy létrehozták a világ első ismert SRAM chipjét, mely már 22 nanométeres eljárással készült. Ennek köszönhetően egy hat tranzisztorból felépülő (6T) cella 0,1 négyzet-mikrométer területű, ami új rekord. Az eljárás immerziós litográfiát, valamint magas k együtthatójú szigetelőt és és fémkapukat alkalmazott. A chipet a New York-i Állami Egyetem College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE) karán érték el, mely a félvezetőipari szövetség kutatásainak egyik központja.
A 22 nanométeres technológia két teljes generációnyira van a jelenleg kereskedelmileg alkalmazható 45 nanométeres eljárástól, így bevezetésére 4 éven túl kell számolni. Az újabb és újabb miniatürizációs ugrásokat tipikusan SRAM chipekkel demonstrálják először, ezek ugyanis rendkívül egyszerű, repetitív struktúrák. A 22 nanométeres generáció előtt az IBM és partnerei, élen az AMD-vel a 45 nanométeres eljárást kereskedelmi bevezetésén dolgoznak jelenleg, hogy a negyedik negyedévre piacon lehessenek a már ezzel készült AMD-mikroprocesszorok.
Még fejlesztési fázisban tart a 32 nanométeres technológia is, mellyel a szövetség ismét az élre akar törni félvezető-technológiában, aminek érdekében már kezdettől fogva alkalmaznak magas k együtthatójú dielektrikumokat és fémkapukat, melyeket az Intel vetett be elsőként a már tömegtermelésben lévő 45 nanométeres gyártástechnológiáján.