Új tranzisztorsebességi világcsúcs született
Az Illinois Egyetem tudósai újabb világrekordot állítottak fel, az általuk épített 845 GHz-es tranzisztor mintegy 300 GHz-cel száguldott gyorsabban a korábbi rekordernél. A kutatók szerint a siker kulcsa az anyagválasztásban keresendő, az indium-foszfid és indium-gallium-arzenid (InGaAs) felhasználásával építettt eszköz a vegyületek kiváló vezetési tulajdonságai miatt érhette el ezt a korábban elképzelhetetlen sebességet.
Milton Feng professzor és csapata számára a Szent Grált az 1 terahertzes (1000 GHz) tranzisztor jelenti, amely most elérhető közelségbe került. Ez egyrészt az anyagválasztásnak köszönhető, másrészt pedig a gyártástechnológiai fejlesztéseknek, amelyek lehetővé tették hogy a tranzisztor bázisa mindössze 12,5 nanométer széles legyen. Az eszközt az egyetem Mikro- és Nanotechnológiai Laboratóriumában építették.
"Lecsökkentettük azt a távolságot amelyet az elektronoknak meg kell tenniük, ezáltal növeltük a tranzisztor sebességét" -- mondta William Snodgrass, a kutatócsoport egyik tagja, aki a múlt heti International Electronics Device Meeting rendezvényen ismertette az áttörést. "Mivel a kollektor méretét is csökkenteni tudtuk, a tranzisztor gyorsabban tud feltöltődni és kisülni."
A 845 GHz-es órajelet az egyetem kutatólaboratóiumában -55 Celsius fokos hőmérsékleten sikerült elérni, szobahőmérsékleten a tranzisztor "csak" 765 GHz-en működőképes. Feng és csapata az órajel további növelése érdekében az áramsűrűség csökkentését tervezi, amely a záróréteg (junction) hőmérsékletének csökkenéséhez, ezáltal megbízhatóbb működéshez is vezet.