Ezredrészére csökkenti a szivárgási áramot az Intel új gyártástechnológiája
Az Intel bejelentette, hogy 65 nanométeres csíkszélességű gyártástechnológiájának elkészítette egy speciális változatát, amely kifejezetten alkalmas alacsony fogyasztású alkatrészek előállítására. A vállalat állítása szerint a változtatásoknak köszönhetően a szivárgási áram akár ezredrészére is csökkenthető.
A szivárgás (szivárgási áram) a félvezetők lezárt átmenetén létrejövő jelenség, amely szabad elektronok és lyukak rekombinációjából származik és nanoamper nagyságrendű. Ez a jelenség az egyik legnagyobb probléma a nagyteljesítményű processzorok tervezésében. A processzorok fogyasztása a működési feszültség csökkentésével mérsékelhető, azonban ahogy a tranzisztorok nyitófeszültsége (az a feszültségszint, amikor a tranzisztor "bekapcsol") tart a 0 Volthoz, a szivárgási áram nő és a teljes fogyasztás egyre nagyobb részét adja.
Két új eljárás
Iparágszerte egyetértés tapasztalható abban a tekintetben, hogy a szivárgási áram a jelenlegi legnagyobb probléma a félvezetők tovább miniatürizálásában. Az Intel szerint a most kifejlesztett, P1265 kódnevű eljárással akár ezredrészére is csökkenthető a szivárgási áram. A vállalat egyelőre csak prototípusokat állított elő a technológiával, a kereskedelmi forgalomban legkorábban 2007-ben várható a bevezetés.
Az Intel kétféle 65 nanométeres gyártástechnológiával fog tehát chipeket gyártani, a P1264 kódnevű eljárással készülnek majd a nagy teljesítményű processzorok, a P1265-tel pedig az energiatakarékos eszközök. Mindkét eljárás magában foglal második generációs "feszített szilíciumot", nagy sebességű rézalapú átkötéseket és kis k-együtthatójú dielektrikummal történő szigetelési technológiát. A P1264 és P1265 nyolcrétegű félvezető alkatrészek előállítását teszi lehetővé 300 milliméter átmérőjű szilíciumszeleteken.
Az Intel 65 nanométeres processzorai 35 nanométer kapuhosszúságú tranzisztorokat tartalmaznak majd, szemben a jelenleg gyártott 90 naométeres chipekben található 50 nanométeres kapuhosszúságú tranzisztorokkal.
A végső megoldás?
Az Intel korábban ennél sokkal radikálisabb megoldást ígért a szivárgási áram problémájára, a vállalat még 2003-ban bejelentette, hogy az általánosan használt szilícium-dioxid helyett teljesen új, eddig még nem részletezett fémanyagot alkalmaz majd kapuelektródaként. A kapuelektróda voltaképp azt szabályozza, átfolyjon-e a tranzisztoron az áram. A vállalat azonban az új anyagot a 65 nanométeres technológiája esetében még nem vezeti be, megjelenése csak a 2007-ben vagy 2008-ban esedékes, a 45 nanométeres csíkszélességű gyártástechnológia részeként.
Az alacsony fogyasztású eszközök gyártásához használandó P1265 technológiát elsőként az oregoni D1D üzemben vezetik be, majd ezután az arizonai Fab 12, végül az írországi Fab 24 félvezetőgyárban alkalmazzák.