Az Intel a 65 nanométeres gyártástechnológia bevezetésére készül
Az Intel bejelentette, hogy megkezdte az arizonai Chandler városban található Fab12 félvezetőgyártó üzemének átalakítását: a 2 milliárd dollár értékű beruházás keretén belül a gyárban egy 300 milliméteres wafereket feldolgozó, 65 nanométeres csíkszélességű alkatrészeket előállító gyártósort telepítenek. A vállalat várakozásai szerint a munkálatok 2005 végéig tartanak.
"Ez a projekt egy első az Intel számára. Ez az első alkalom, hogy egy meglevő, 200 milliméteres wafereket feldolgozó gyárat átállítunk 300 milliméteres waferek feldolgozására" -- mondta Bob Baker, az Intel Technology and Manufacturing Group vezetője.
A Fab12 lesz az Intel ötödik olyan chipgyártó üzeme, amelyben 300 milliméter átmérőjű szilíciumlemezeket dolgoznak fel. Becslések szerint az öt üzem gyártási kapacitása közel akkora, mint 10 olyan gyáré, amelyben 200 milliméteres wafereket munkálnak meg. Egy 300 milliméter átmérőjű szilíciumszelet felülete több mint kétszer akkora, mint egy 200 milliméteres waferé.
Az Intel tavaly november végén jelentette be, hogy hillsboroi (Oregon, USA) D1D félvezetőgyártó üzemében 65 nanométeres csíkszélességű technológia felhasználásával működőképes SRAM chipeket gyártott. A vállalat tervei szerint a 65 nanométeres csíkszélességű alkatrészek sorozatgyártása 2005-ben kezdődik meg.
Az új, P1264 kódnevű, 65 nanométeres félvezetőgyártási technológia többek között magában foglal a korábbinál nagyobb teljesítményű és alacsonyabb fogyasztású tranzisztorokat, második generációs "feszített szilíciumot", nagy sebességű rézalapú átkötéseket és kis k-együtthatójú dielektrikummal történő szigetelési technológiát. A P1264 nyolcrétegű félvezető alkatrészek előállítását teszi lehetővé 300 milliméter átmérőjű szilíciumszeleteken.
A P1264 technológiával gyártott tranzisztorok kapuhossza mindössze 35 nanométer. Az Intel állítása szerint 2005-ben ezek lesznek a legkisebb és legnagyobb teljesítményű tranzisztorok, amelyeket sorozatgyártásban alkalmaznak. A jelenlegi tömegtermelésben alkalmazott legfejlettebb, 90 nanométeres Intel-technológia segítségével 50 nanométeres kapuhossz érhető el. A 130 nanométeres csíkszélességű Pentium 4 "Northwood" processzort felépítő tranzisztorok kapuhossza 60 nanométer.
A 65 nanométeres csíkszélességű gyártástechnológia fejlesztéséhez és első implementálásához használt D1D chipgyár az Intel legfejlettebb üzeme, egyben a legnagyobb tisztaszobával rendelkezik. A D1D gyárban a tisztaszoba mérete 20 ezer négyzetméter. Az Intel termelési környezetben használt gyárai közül egyedül a mexikói Fab11X rendelkezik nagyobb tisztaszoba-területtel, azonban ez a gyár két épületből áll és két tisztaszobát tartalmaz. A hillsboroi D1D üzem 300 milliméter átmérőjű wafereket dolgoz fel, ezek szállítása teljesen automatizált. A gyár a 65 nanométeres technológia fejlesztése mellett a 45 nanométeres technológia fejlesztésének helyszíne is.
A 65 nanométeres csíkszélességű alkatrészek gyártásához az Intel számos már meglevő, 193 nanométeres hullámhosszúságű litográfiai berendezést fel tud használni, ami jelentősen csökkenti a gyártási költségeket. Az Intel várhatóan a 45 nanométeres csíkszélességű alkatrészek fotómaszkjait is részben vagy egészben 193 nanométeres litográfiai berendezésekkel tervezi előállítani.