A Texas Instruments egy 4 Mbites, 65 nanométeres csíkszélességű SRAM cellát gyártott

A Texas Instruments tegnap bejelentette, hogy következő generációs, 65 nanométeres cskíszélességű gyártástechnológiájával egy 4 Mbit kapacitású SRAM cellát készített. A vállalat tervei szerint az első, 65 nanométeres alkatrészek gyártása 2005 elején indulhat meg, a sorozatgyártás kezdete azonban csak a jövő év második felében várható. A 65 nanométeres csíkszélességű eljárás pontos leírását egy júniusi konferencián teszi közzé a cég.

A Texas Instruments számításai szerint a 65 nanométeres csíkszélességű alaktrészek azonos komplexitás mellett csupán fele akkorák lesznek, mint a 90 nanométeres csíkszélességgel gyártott termékek. A vállalat közölte, hogy az új félvezetőgyártási eljárásban számos új, a fogyasztást, a szivárgási áramot és a hőtermelést csökkentő módszert vezet be. Ezek egyike a SmartReflex technológia, amelynek segítségével a vezeték nélküli kommunikációra kifejlesztett lapkák fogyasztása mérsékelhető.

A TI új gyártástechnológiája legfeljebb 11 rétegű alkatrészek előállítását teszi lehetővé, a huzalozás rézalapú, a dielektrikum pedig egy üvegszármazék (organo-silicate glass), amelynek k-együtthatója csupán 2,8. A Texas Instruments a 90 nanométeres csíkszélességű gyártástechnológiájánál vezette be az OSG dielektrikumot. A vállalat tájékoztatása szerint a tranzisztorcsatornák -- hasonlóan az Intel és az IBM legújabb eljárásaihoz -- ún. nyújtott szilícium technológiával készülnek. A TI 65 nanométeres csíkszélességű eljárását 200 és 300 milliméter átmérőjű waferekkel egyaránt lehet használni.

Amint az ismert, a Texas Instruments nem csak saját termékeit gyártja, hanem más vállalatokét is, többek között a Sun Microsystems UltraSPARC processzorait. A Sun üdvözölte a Texas Instruments tegnapi bejelentését és megerősítette elkötelezettségét a cég gyártástechnológiája iránt. A két vállalat már több mint 10 éve működik együtt.