AMD: újabb tranzisztortechnológiai áttörés

Az AMD kutatóinak olyan háromkapus tranzisztort sikerült kifejleszteniük, amelynek teljesítménye jelentősen meghaladja a korábban publikált megoldásokét, közölte tegnap a vállalat. A processzorgyártó silicon on insulator technológiát és nikkelszilicid kapuelektródát használt a tranzisztor kialakításakor.

Az AMD kutatói a tokiói International Conference on Solid State Devices and Materials című szakmai konferencián számoltak be eredményekről. Az általuk kifejlesztett háromkapus tranzisztor, mely mindössze 20 nanométer méretű kapuhosszal rendelkezik, akár 50 százalékkal is jobb teljesítményt nyújt, mint az eddig dokumentált hasonló megoldások. Hasonló teljesítményű tranzisztorokat a félvezetőgyártó ipar technológiai útiterve (ITRS) csupán 2009-re irányoz elő, míg az AMD megoldása akár már 2007-ben alkalmazható lehet az áramkörök gyártása során.

Az előadásban bemutatott háromkapus tranzisztor fully depleted SOI (FDSOI) technológiával és nikkelszilicid kapuelektródák használatával készült. A jelenlegi tranzisztorok nagy többségén az áram folyását szabályozó kapuelektróda polikristályos szilíciumból (poliszilícium) készül, az AMD kutatói azonban már jó ideje sikerrel kísérleteznek a fém alapú megoldásokkal. Az eredmények azt mutatják, hogy a nikkelszilicid használatával jelentősen javul a kapu vezetőképessége és csökken a szivárgási áram.

A SOI gyártási mechanizmus során pedig a csatornát, ahol a tranzisztor árama folyik, egy rendkívül vékony üveg vagy szilícium-dioxid szigetelőréteggel választják el a szilíciumkristálytól. A két megoldás együttes alkalmazása további kedvező mellékhatással járt: a szilíciumréteg, akárcsak a feszített szilícium technológia esetében, kifeszült, így a kisebb ellenállásnak köszönhetően javul a töltéshordozók mobilitása.