Az Infineon is csatlakozik az IBM és a Chartered technológiafejlesztési szövetségéhez

[SBN] Az Infineon Technologies AG tegnap közölte, hogy csatlakozik az IBM és a szingapúri Chartered Semiconductor tavaly novemberben létrehozott gyártástechnológia-fejlesztési szövetségéhez. A jövőben a három vállalat együtt dolgozik a 90 és 65 nanométeres csíkszélességű félvezető alkatrészek gyártásához szükséges technológiák kifejlesztésén.

Amint arról beszámoltunk, az IBM és a Chartered tavaly novemberben állapodott meg a 90 és 65 nanométeres csíkszélességű gyártástechnológia közös fejlesztéséről, nyitva hagyva a kapukat a további (a 45 nanométeres technológiára kiterjedő) együttműködés előtt. Az Infineon a 65 nanométeres technológia kidolgozásába kapcsolódik be, miközben lehetőséget kap arra, hogy partnerei gyártókapacitását igénybe vegye.

A megállapodás a partnerek egyéni erősségeire, így az Infineon tapasztalatára az alacsony fogyasztású áramkörök előállítása terén és az IBM vezető gyártástechnológiájára épít. A három vállalat mintegy 200 mérnöke az IBM nemrégiben átadott East Fishkill-i fejlesztői központjában dolgozik majd együtt.

Az utóbbi években számos félvezetőgyártó vállalat kötött együttműködési megállapodást annak érdekében, hogy partnerükkel megosztozzanak a gyárépítések, illetve a technológiai fejlesztések horribilis költségein. Egy csúcstechnológiát képviselő, 90 nanométeres csíkszélességű alkatrészeket előállító, 300 milliméter átmérőjű szilíciumszeleteket feldolgozó gyár mintegy 3 milliárd dollárba kerül.

A német félvezetőgyártó óriásvállalat egyben bejelentette, hogy eladja a UMC-vel alapított vegyesvállalatban, a UMCi Pte-ben megszerzett tulajdonrészét tajvani félvezetőgyártó partnerének. Az Infineon még 2000-ben állapodott meg a UMC-vel a 130 és 90 nanométeres gyártástechnológiákkal kapcsolatos közös fejlesztésekről. Az együttműködés keretében a két cég egy vegyesvállalatot hozott létre UMCi néven, amely egy 3,6 milliárdos beruházás keretében korszerű félvezetőgyárat épít Szingapúron.