Az IBM és az Infineon bemutatta a világ legkisebb MRAM celláját

A Japánban rendezett VLSI Symposia rendezvényen az IBM és az Infineon bejelentették, hogy elkészítették a világ legfejlettebb MRAM (magnetic random access memory) celláját. A cégek kutatói a memória mágneses alkatrészeit egy nagyteljesítményű áramkörre integrálták.

Az IBM és az Infineon szerint az újfajta memóriacella áttörést jelenthet az MRAM technológia elterjedésében és az első MRAM-alapú eszközök már 2005-ben piacra kerülhetnek. Az IBM és az Infineon által elkészített 128 kbites MRAM lapka 0,18 mikronos csíkszélességgel készül. A memóriacellák mérete mindössze 1,4 négyzetmikron.

A kutatók szerint a mágneses adattárolás alapjaiban alakíthatja át a hordozható számítástechnikai eszközöket, ugyanis az MRAM technológia segítségével több információ tárolható mint a jelenleg elterjedt elektronikus memóriákban, a memóriák gyorsabbak lehetnek és kevesebbet fogyaszthatnak.

Az IBM és az Infineon közleménye kiemeli, hogy az MRAM technológia egyesíti a DRAM alacsony előállítási költségét, az SRAM gyorsaságát és a flash memóriák azon tulajdonságát, hogy kikapcsolt állapotban is megőrzik az adatokat. Ennek segítségével pillanatok alatt munkára kész számítógépek is építhetők.

A "nem felejtő" (non-volatile) tulajdonság továbbá alacsonyabb fogyasztáshoz vezet, hiszen nem szükséges a memória folyamatos frissítése annak érdekében, hogy az adatok ne vesszenek el. Így az akkumulátorról üzemeltetett készülékek, például mobiltelefonok, tenyérgépek, notebookok és más eszközök hosszabb ideig maradhatnak működőképesek.