A világ leggyorsabb tranzisztorai az AMD-től
Az Advanced Micro Devices ma sajtóközleményben jelentette be, hogy kutatói újabb áttörést értek el a félvezető áramkörökben használt tranzisztorok fejlesztésében. A vállalat szűkszavú közleménye szerint a laboratóriumi körülmények között, korszerű technológiai megoldások alkalmazásával előállított tranzisztorok gyorsabbak minden korábbi megoldásnál.
[HWSW] Az Advanced Micro Devices ma sajtóközleményben jelentette be, hogy kutatói újabb áttörést értek el a félvezető áramkörökben használt tranzisztorok fejlesztésében. A vállalat szűkszavú közleménye szerint a laboratóriumi körülmények között, korszerű technológiai megoldások alkalmazásával előállított tranzisztorok gyorsabbak minden korábbi megoldásnál.
Az AMD kutatói ún. fully depleted (rendkívül vékony szilíciumfilm választja el a szigetelőréteget és a csatornát) silicon on insulator (SOI) technológiát alkalmazva készítettek el egy olyan p-csatornás MOS (PMOS) tranzisztort, amely 30 százalékkal gyorsabb, mint a dokumentált hasonló megoldások. Egyben a vállalat beszámolt arról is, hogy egyebek mellett az Intel által a 90 nanométeres csíkszélességű félvezetők gyártása során alkalmazott feszített szilícium (strained silicon) technológiát is vizsgálja. Kutatói annak használatával 20-25 százalékos sebességnövekedést értek el a hasonló megoldásokhoz képest.
A bejelentés kapcsán Craig Sander, az AMD gyártástechnológiai fejlesztésért felelős alelnöke elmondta, hogy a nagysebességű, alacsony fogyasztású és alacsony szivárgási mutatókkal rendelkező tranzisztortechnológiák fejlesztése elengedhetetlen az egyre összetettebbé váló áramkörök előállításához. Az AMD először az idén júniusban, Japánban megrendezésre kerülő VLSI Symposiumon számol be az új megoldásokkal kapcsolatos részletekről.