AMD: újabb mérföldkő a tranzisztortechnológiában
Az AMD ma jelentette be, hogy a cég kutatóinak sikerült megépíteniük a világ legkisebb double gate tranzisztorát. A Fin FET struktúrájú tranzisztor kapuelektródája (gate) mindössze 10 nanométer méretű, ami hatszor kisebb, mint a jelenleg használt tranzisztorok gate-hossza. A sunnyvale-i cég állítása szerint az innovációnak köszönhetően a jövőben akár 1 milliárd tranzisztor is elhelyezhető lesz egyetlen chipen.
Double gate tranzisztor (forrás: IBM)
Amint az a képeken is látható, a double gate tranzisztor a hagyományos tranzisztorokhoz képest térben 90 fokkal (azaz az oldalára) el van forgatva, a forrás (source) és az elektródanyelő (drain) pedig egy terelőszárnyra vagy uszonyra (fin) hasonlító szilíciumlapon kapott helyet, melyet satuszerűen fog közre a vezérlőelektróda (gate). Ez a struktúra pedig egy SOI (silicon on insulator) rétegen ül.
Craig Sander, az AMD technológiai fejlesztésért felelős alelnöke a vívmány kapcsán elmondta: "A tranzisztorok fejlesztése elengedhetetlen az egyre nagyobb teljesítményű termékek előállításához. A félvezetőipar egésze azon az egyre nehezebbé váló feladaton dolgozik, hogy olyan egyre kisebb méretű, ugyanakkor nagyobb teljesítményű tranzisztorokat fejlesszen ki, melyek az iparági szabványoknak megfelelő gyártási technológiákkal is előállíthatóak. A Fin FET tranzisztor lehetővé teszi, hogy tovább növeljük a teljesítményt, miközben megőrizzük az alapvető technológiai infrastruktúrát."
A 10 nanométeres gate-hosszú double gate tranzisztort a cég mérnökei az AMD Submicron Development Centerben állították elő a berkeley-i egyetem kutatóinak segítségével és a Semiconductor Research Corporation (SRC) támogatásával. A technológia részleteit a december 9-11. között megrendezésre kerülő International Electron Devices Meeting (IEDM) rendezvényen ismertetik.