Az Intel számos gyártástechnológiai áttörésről számolt be
Az Intel ma több olyan technológiai áttörést jelentett be, amelyeket a vállalat a 90 nanométeres csíkszélességű félvezetők gyártásában fog alkalmazni. A vállalat a jövő év során kezdi meg a 90 nanométeres technológia bevezetését, mégpedig kizárólag 300 milliméteres szilíciumszeletek felhasználásával.
Az új, P1262 kódnevű, 90 nanométeres félvezetőgyártási technológia többek között magában foglal a korábbinál nagyobb teljesítményű és alacsonyabb fogyasztású tranzisztorokat, "feszített szilíciumot", nagy sebességű rézalapú átkötéseket és egy új, kis k-együtthatójú dielektrikummal történő szigetelési technológiát. Az Intel a világon elsőként alkalmazza ezen eljárásokat egy gyártási technológián belül.
"Amíg egyesek csak lassan állnak át 130 nanométeres csíkszélességre a 200 milliméteres wafereken, mi a legfejlettebb 90 nanométeres technológiát fogjuk használni kizárólag 300 milliméteres szilíciumszeleteken" -- mondta Dr. Sunlin Chou, az Intel Technology and Manufacturing Group alelnöke és igazgatója. "Ez a kombináció lehetővé teszi a jobb minőségű termékek előállítását és a gyártási költségek csökkentését."
Az Intel márciusban jelentette be, hogy 90 nanométeres csíkszélességű gyártástechnológiája segítségével elkészítette a világ legkisebb SRAM celláját, amely mindössze 1 négyzetmikrométer méretű. Az elkészített 52 megabites lapkák mérete 109 négyzetmilliméter és összesen 330 millió tranzisztort tartalmaznak. Ez a valaha készített legnagyobb kapacitású SRAM chip.
52 Mbites SRAM 330 millió tranzisztorral
Az Intel új gyártástechnológiájában alkalmazott tranzisztorok kapuhossza mindössze 50 nanométer lesz, amely a valaha sorozatgyárásba került CMOS tranzisztorok közül a legkisebb. A jelenleg sorozatban gyártott CMOS tranzisztorok közül a legkisebbek a 130 nanométeres csíkszélességgel készülő Pentium 4 processzorokban találhatók, ezek kapuhossza 60 nanométer. Az Intel 90 nanométeres technológiájában alkalmazott tranzisztorok kapuoxidja mindössze 5 atomnyi vastag, azaz 1,2 nanométer. Minél vékonyabb a kapuoxid, annál nagyobb sebességre képes a tranzisztor.
A "feszített szilícium" technológiának köszönhetően az elektromos áram nagyobb sebességgel áramolhat a vezetékekben, így az áramkör magasabb órajelen működhet. Az Intel a világon elsőként alkalmazza sorozatgyártásban a "feszített szilícium" technológiát.
A 90 nanométeres gyártástechnológia hétrétegű alkatrészek előállítását teszi lehetővé, a rétegek között rézcsatlakozásokkal és alacsony k-együtthatójú dielektrikummal történő szigeteléssel. Az új dielektrikum az Intel mérései szerint 18 százalékkal csökkenti a kapacitív ellenállást a 130 nanométeres gyártástechnológiában jelenleg alkalmazott SiOF dielektrikumhoz képest.
Az eljáráshoz a világ legnagyobb félvezetőgyártója 248 és 193 nanométeres hullámhosszú litográfiai berendezéseket használ majd, és a várakozások szerint a 130 nanométeres csíkszélességű gyártásban alkalmazott berendezések mintegy 75 százalékát az új gyártástechnológiában is alkalmazni lehet, amivel jelentős költségmegtakarítás érhető el.
A 90 nanométeres gyártástechnológiát elsőként az Intel D1C gyárában vezetik be, majd a jövő év kezdetén a vállalat további üzemeiben is alkalmazni kezdik. Az Intel tervei szerint 2003 végére három gyára állít majd elő 90 nanométeres alkatrészeket 300 milliméter átmérőjű szilíciumszeletek felhasználásával.
Az első Intel termék, amely az új technológiával készül, az egyelőre Prescott kódnéven ismert mikroprocesszor lesz, amelyet 2003 második negyedévében mutat be a chipgyártó.