:

Szerző: Ady Krisztián

2002. február 26. 02:18

Az IBM elkészítette a világ leggyorsabb félvezető áramkörét

Az IBM elkészítette a világ leggyorsabb félvezető áramkörét, mely több mint 110 GHz sebességen fut, s egyetlen elektromos jelet a másodperc 4,3 trilliomod része alatt dolgoz fel. Az áramkör az IBM legújabb, szilíciumgermánium (SiGe) chipkészítő technológiájával készült, tovább növelve a hagyományos szilícium alapú technológiákkal elérhető sebességhatárt.

Az IBM elkészítette a világ leggyorsabb félvezető áramkörét, mely több mint 110 GHz sebességen fut, s egyetlen elektromos jelet a másodperc 4,3 trilliomod része alatt dolgoz fel. Az áramkör az IBM legújabb, szilíciumgermánium (SiGe) chipkészítő technológiájával készült, tovább növelve a hagyományos szilícium alapú technológiákkal elérhető sebességhatárt.

Az IBM jelenleg a technológia kommunikációs eszközökben felhasználható, "SiGe 8HP" névre keresztelt változatát fejleszti. Az első SiGe technológián alapuló chipek még ezévben piacra kerülhetnek.

"Sok chipgyártó még csak most mutatja be, hogy képes SiGe tranzisztorokat készíteni, míg mi már a technológia negyedik generációját fejlesztjük" -- mondta Dr. Bernard Meyerson, az IBM Kommunkációs Kutató- és Fejlesztő Központjának alelnöke, a 2002 Compound Semiconductor Outlook Conference rendezvényen.

Az IBM kutatási partnere, a Sierra Monolithics Inc. lehet az első olyan cég, mely az új SiGe technológián alapuló termékeket fejleszthet. A cég 1996 óta dolgozik együtt az IBM-mel kommunikációs eszközökbe szánt integrált áramkörök fejlesztésében, készítésében.

Az új technológia kiválóan alkalmazható lesz olyan kommunikációs eszközök vezérlőchipjeinek, konrollereinek fejlesztésénél, ahol a SiGe 8HP hatalmas számítási kapacitása, sebessége kiaknázható. Ezek az áramkörök jó szolgálatot tesznek majd a 100 Gbit/s vagy ennél is nagyobb sebességű kapcsolókban, kommunikációs eszközökben. A SiGe energiafogyasztása ráadásul alacsonyabb a jelenleg használt galliumarzenid megoldásoknál.

a címlapról