10 mikronos technológia a Samsung fejlesztésében

Hosszú évekig technológiai képtelenségnek tartották a szakemberek a 10 mikronos félvezető áramkör gyakorlati megvalósítását. A Samsung Electronics fejlesztőinek köszönhetően azonban a litográfiai eljáráshoz használt fotoellenállásos technológia adaptálásával sikerült a lehetetlen. A napjainkban alkalmazott argon-fluoridos (ArF) gyártástechnológiában fényforrás segítségével alakítják ki a gigabites kapacitású lapkák sorozatgyártásához nélkülözhetetlen apró áramköröket. Azonban a fotoellenállásos technológia nem képes egyszerre maradéktalanul megfelelni a nagy pontosságra és a nyomtatott áramköri ellenállásra vonatkozó követelményeknek. A 0,1 mikronos áramkörök sorozatgyártását nagyban megnehezítette az áramköri mintákat eltorzító utóexpozíciós (PED) tulajdonság.

A Samsung Electronics által kifejlesztett argon-fluoridos (ArF) fényellenállásos technológia egyszerre nyújt tökéletes pontosságot, megfelelő nyomtatott áramköri ellenállást és minden eddiginél jobb utóexpozíciós (PED) tulajdonságot. Az eredmények lehetővé teszik az új generációs technológia gyors meghonosítását a sorozatgyártásban.

A Samsung által kifejlesztett áramkör karakterisztikái alaposan felülmúlják az elmúlt időszakban napvilágott látott eredményeket. A vállalat az új generációs félvezetők sorozatgyártásához szükséges alaptechnológia létrehozásával lehetővé tette az eddigieknél is kisebb áramköri méretek elésését.

Több amerikai és japán félvezetőgyártó is folytat kutatásokat az új generációs technológia kidolgozásában, azonban a Samsungnak sikerült elsőként áttörni a 0,1 mikronos határt. A szakemberek szerint megteremtődtek a feltételek a gigabites osztályú memórialapkák sorozatgyártásához.

A Samsung Electronics kilenc országban indította el az új fotoellenállásos technológia szabadalmaztatását, köztük az Egyesült Államokban, Japánban és Taiwanon. Az elkövetkező évtizedben csak szabadalmi jogdíjból 6 millió dollár bevételre számíthat a vállalat.