300 MHz-en futó DDR SDRAM chipek a Samsungtól

[x-bit labs] A Samsung Electronics tegnap jelentette be, hogy a cég FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array) technológiájára építve sikerült kifejleszteniük 300 MHz-en futó DDR SDRAM memóriachipeket. A gyors memóriák elsődleges felhasználási területe jelenleg a grafikus memóriákra és high-end szerverek Level 3 cahce-ére korlátozódik, de cég reméli, hogy a jövőben egyre szélesebb körben válik elterjedtté a termék.

[x-bit labs] A Samsung Electronics tegnap jelentette be, hogy a cég FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array) technológiájára építve sikerült kifejleszteniük 300 MHz-en futó DDR SDRAM memóriachipeket. A gyors memóriák elsődleges felhasználási területe jelenleg a grafikus memóriákra és high-end szerverek Level 3 cahce-ére korlátozódik, de cég reméli, hogy a jövőben egyre szélesebb körben válik elterjedtté a termék.

E chipekkel maximálisan elérhető elvi memória-sávszélesség 2,4 Gbyte/sec. A chipek 2,5 Volton üzemelnek, míg az I/O feszültségigény csupán 1,8 Volt, ami jelentősen csökkentheti az energiafogyasztást.

A mintapéldányok már most is hozzáférhetőek, míg a Samsung ez év harmadik negyedévében kezdi meg a tömegtermelést.