Az Intel gyártástechnológiai útiterve 2009-ig

[AsiaBizTech] Nemrégiben számoltunk be arról, hogy az Intel kutatóinak a cég hillsborói (Oregon) laboratóriumában sikerült előállítani a világ legkisebb és leggyorsabb MOS (metal-oxide semiconductor) tranzisztorának mintapéldányait.

E hagyományos szilíciumdioxid technológiával készülő tranzisztorok mindössze 20 nanométer, azaz 0,02 mikron nagyságúak, ám a tranzisztoron belül a kapuelektródát a csatornától elválasztó szigetelőréteg csupán 0,0008 mikron, azaz körülbelül 3 atom vastagságú. Az Intel reményei szerint e felfedezésnek köszönhetően 2007-ben lehetséges lesz 1 milliárd tranzisztorból álló, 20 GHz-en működő és egy voltnál is alacsonyabb feszültséget igénylő processzorok gyártása.

A cég nemrégiben közzétette gyártástechnológiai útitervét, amelyen 2009-ig követhető nyomon az egyes technológiák bevezetése:

Technológia elnevezése	P854	P856	P858	Px60	P1262	P1264	P1266	P1268
Üzembe állítás éve	1995	1997	1999	2001	2003	2005	2007	2009
Fotolitográfia (mikron)	0.35	0.25	0.18	0.13	0.09	0.065	0.045	0.032
Kapuelektróda (mikron)	0.35	0.2	0.13	0.07	0.05	0.03	0.02	0.016