:

Szerző: Koi Tamás

2020. december 7. 14:07

Rekorder NAND flash áramkört fejlesztett az SK Hynix

Új technológiai mérföldkőhöz ért az okostelefonokban és SSD-kben használatos NAND chipek terén a koreai SK Hynix: a cég befejezte az első, 176 rétegű 4D NAND flash áramkör fejlesztését.

A jelenlegieknél lényegesen gyorsabb és nagyobb kapacitású SSD-k építésére lesznek alkalmasak a gyártók az SK Hynix új 4D NAND flash technológiájának használatával, melynek fejlesztését most zárta le a dél-koreai cég. A vállalat szerint a 176 rétegű flash az iparágban jelenleg hozzáférhető legnagyobb bitsűrűséget biztosítja majd.

skhynix_nand

Mentorhatás: tapasztalt szememmel vezetem a kezedet

A sikeres IT karrierek többsége mögött ott áll egy erős mentor, szerepének azonban nagyon sokféle árnyalata lehet.

Mentorhatás: tapasztalt szememmel vezetem a kezedet A sikeres IT karrierek többsége mögött ott áll egy erős mentor, szerepének azonban nagyon sokféle árnyalata lehet.

Az új fejlesztés az SK Hynix 4D NAND flash technológiájának harmadik generációja, mely átlagosan 20%-kal gyorsabb cellaolvasási időt és 33%-kal nagyobb adatátviteli sebességet ígér az előző generációhoz képest. Az új technológiára épülő első NAND flash chipek a tervek szerint először az okostelefonokban jelenhetnek meg valamikor a jövő év első felében, míg az első SSD-kbe várhatóan 2021 közepétől juthatnak el az új generációs chipek.

 

A most először, április 24-én Budapestre érkező nemzetközi Kubernetes Community Day programja immár elérhető. A programba kerülő 26 előadást a világ minden tájáról beérkezett, több mint 100 pályázat közül választottuk ki. Figyelem, a rendezvényre már csak 30 jegy elérhető!

a címlapról