Egy titokzatos új memórián dolgozik a Micron
Ambiciózus tervekkel vág neki az idei, illetve a következő pár évnek a Micron. A vállalat igyekszik meglovagolni a memóriák iránt mutatkozó erős keresletet, amire építve felgyorsítaná a fejlesztési tempót.
Közeli és távoli jövőre vonatkozó terveit taglalta múlt héten tartott befektetői konferenciáján a Micron. A memóriagyártó igyekszik meglovagolni a DRAM és NAND piacon kialakult hiányt, előbbinél a csíkszélesség mihamarabbi csökkentésével javítana helyzetén, utóbbinál pedig a rétegeket növelné nagy léptekkel, az év második felében ezek számát már 96-ra emelné a cég. Az evolúciós fejlesztések mellett egy vadiúj, nem volatilis(?) memórián is dolgozik a Micron, amelynél DRAM-hoz közeli sebességet ígér.
A NAND-os fejlesztéseket továbbra is az Intellel közösen végzi a cég, az IMFT (Intel-Micron Flash Technologies) volt a Samsung utána a második gyártó, aki (pár év késéssel) tömegtermelésbe hozta a 3D NAND-okat. A 32 rétegű lapkák tavaly bukkantak fel SSD-kben, miközben a vegyesvállalat már javában dolgozott a nagyjából 80 százalékos bitsűrűség-növekedést ígérő második generációs, 64 rétegű variánson. A fejlesztésből mostanra működőképes példányok is léteznek, a tömeggyártás beindítására pedig az év végét ígéri a Micron, amitől egységnyi kapacitásra levetítve körülbelül 30 százalékos költségcsökkenést vár.
A Micron egyelőre két eltérő lapkáról beszél, amelyek egyaránt hárombites (TLC) cellákkal rendelkeznek. A nagyobbik, 512 gigabites (64 GB) kapacitásút elsősorban különféle SSD-kbe szánja a gyártó, az épp fele ekkora, 256 gigabites lapkával pedig az okostelefonok piacát venné célba. A cég szerint ez a jelenleg ismert legkisebb területű 256 gigabites lapka, a mindössze 59 négyzetmilliméteres szilícium így jól illeszkedhet a kompakt készülékekbe. A Micron ezzel próbál nagyobb szeletet kihasítani az okostelefonos piacból, amelyben jelenleg meglehetősen kis részesedéssel rendelkezik, köszönhetően a korábbi, nagyobb lapkákra fókuszáló stratégiájának.
Introvertáltak az IT-ban: a hard skill nem elég Már nem elég zárkózott zseninek lenni, aki egyedül old meg problémákat. Az 53. kraftie adásban az introverzióról beszélgettünk.
Konferenciáján az ezeket követő, harmadik generációs fejlesztésről is beszélt a cég. A várhatóan 96 rétegű 3D NAND további 40 százalékkal növelheti az egységnyi területre levetített kapacitást, ami körülbelül 10-15 százalékkal csökkentheti a gyártási költségeket. Végül, de nem utolsó sorban a QLC-t, azaz a négybites cellákkal szerelt NAND-ot is megemlítette a Micron, amelynek fejlesztése továbbra is folyamatban van.
Első körben ez csak a kifejezetten alacsony írási terheléssel rendelkező munkafolyamatokhoz lehet megfelelő, ugyanis a cellák a TLC-nél is lényegesen kevesebb programozási ciklust viselnek el, így ennek fényében kell kialakítani a vezérlőszoftvert (firmware) és a (vállalati) szoftveres környezetet. A Micron még körülbelüli időpontot sem mondott a QLC bevezetésére, kíváncsian várjuk, hogy melyik gyártó áll majd elő elsőként ilyen NAND-okkal, a fejlesztési versenyben például a Toshiba is részt vesz.
20 nanométer alatti DRAM és GDDR6
A volatilis memóriák fejlesztését is megnyomja a Micron, a tavalyi 20 nanométeres lapkák után idén befuthatnak a 16 (1X) nanométeres variánsok is, amitől egységnyi kapacitásra levetítve 20 százalékos költségcsökkenést vár a gyártó. Ezen a csíkszélességen GDDR5 és (LP)DDR4 chipek egyaránt készülnek majd, az év második felében pedig elkezdődhet az 1Y (14 nanométer?) jelölésű technológia bevezetése, amely körülbelül egy évvel a 16 nanométer után éri el a tömegtermelés fázisát. Ezt egy harmadik lépcső követi, az 1Z jelölésű fejlesztésről viszont egyelőre semmi sem árult el a Micron.
A DRAM-okhoz kapcsolódóan a GDDR-es fejlesztéseket is megemlítette a gyártó, ahol ugyancsak eseménydús időszak várható. A GDDR5X termelésén teker egyet a cég, amiből arra lehet számítani, hogy idén több kártyán is feltűnnek a chipek, amelyek egyelőre csak az Nvidia termékein (pl. GTX 1080, Titan X) kaptak szerepet. Arról egyelőre nincs hír, hogy csak az Nvidia bővíti-e tovább a GDDR5X-es kört, vagy esetleg az AMD is beveti a chipeket, esély mindkettőre van. Ettől függetlenül a cég már az utód, GDDR6 fejlesztésén is dolgozik, amely jövőre jelenhet meg a piacon, igaz azt előbb még a JEDEC-nek is szabványosítania kell.
3D XPoint termékek helyett egy titokzatos memória
Az Intelhez hasonlóan a Micron is balladai homályba burkolja a 3D Xpoint technológiára épülő, QuantX márkanevű termékeinek bejelentését. A cég csupán annyit árult el, hogy az első modellek az idei év végéig megjelennek, miközben már javában folyik a második és harmadik generáció fejlesztése, ami mind teljesítmény, mind pedig kapacitás szempontjából jelentős előrelépést hoz.
A titkolózást tovább fokozván, egy teljesen új fejlesztést is bedobott a Micron. Ez a cég által mutatott dia alapján DRAM-hoz hasonló tempót kínál valamivel alacsonyabb költség, illetve várhatóan nem volatilis működés mellett, így azzal a 3D Xpointhoz hasonlóan össze lehetne vonni a háttértárat és az operatív tárat. További információt nem osztott meg a Micron, annyi viszont kiderült, hogy a 3D Xpointtal ellentétben ezt a cég egymaga fejleszti, az Intel kimaradt a projektből.
Optimista kilátások
A DRAM és NAND chipek iránti megugrott kereslet okán a Micron derűlátóan tekint a jövőbe. A cég 30-40 százalékkal nagyobb leszállított kapacitás vár DRAM-ból, illetve 45-55 százalékkal nagyobbat NAND-ból a 2018-as pénzügyi évre. Eközben az egységnyi kapacitásra elosztott előállítási költség a DRAM esetében 15-25, a NAND esetében pedig 20-30 százalékot csökkenhet majd. A Micron optimista prognózisa szerint a memóriapiac növekedése kettő és félszer nagyobb lesz a félvezetőipar többi részének átlagánál. A cég a növekvő igényeket egyedi megoldásokkal is szeretné meglovagolni, ahol elsősorban a tokozásban nyújtana egyedülállót a, például az alkalmazásprocesszor, a DRAM, illetve a NAND egyetlen chipbe ültetésével.